Administracion de prestaciones
Páginas: 12 (2971 palabras)
Publicado: 19 de agosto de 2010
UNIVERSIDAD NACIONAL
AUTÓNOMA DE MÉXICO
Facultad de estudios superiores
(Cuautitlán campo 4)
Ingeniería mecánica Eléctrica
Laboratorio de Electrónica Industrial Grupo 1611-A
Profesor: Rivera López José Luis
Alumno: Gómez Zamora Francisco Eduardo
“Transistor bipolar de juntura (TBJ) y polarización de circuitos con TBJ Practica No 5”
Fecha de realización 12-10-09Fecha de entrega 18-10-09
Semestre 2010-1
“Por mi raza hablara el espíritu”
Practica 5 “Transistor Bipolar de Juntura TBJ y polarización de circuitos con TBJ”
Objetivos:
✓ El alumno aprenderá a reconocer un transistor en buen estado de uno en mal estado, asi como a reconocer si se trata de un transistor NPN o un PNP.
✓ Medir los parámetros del transistor bipolar de unióntrabajando en corte, saturación y ampliación. Medir el efecto que produce el polarizar a un transistor en la región activa.
✓ Medir la potencia disipada por el transistor trabajando en cada una de las tres regiones.
Introducción:
El transistor bipolar de juntura (BJT)
La abreviatura BJT (bipolar junction transistor o transistor de unión bipolar) se aplica a menudo a este dispositivode tres terminales.
El termino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente, Si solo uno de los portadores se emplea (electron o huevo), se considera que el dispositivo es unipolar.
ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR
El transistor bipolar de juntura se puede definir como la unión de tres obleas de silicio oGermanio dopadas alternativamente con material tipo PNP p NPN como se aprecia en la figura 1 para un material tipo NPN.
Material tipo NPN
A cada material dopado se conecta un terminal metallico al que llamaremos terminal de Emisor, terminal de Base y terminal de Colector. Sin embargo, cada material tiene un Área y cantidad de dopaje diferente entre si.
a) El emisor es el material masdipado del transistor y su area es madiana. La función principal del Emisor es Emitir electrones. Hacia el colector.
b) La Base es el material menos dopado y de area mas pequeña. Su función es de servir como Base o referencia para los otros teminales.
c) El colector es el material de mayoy area y medianamente dopado. Su función es de Colectar o recibir los electrones provenientes del Emisor.Estructura de un transistor NPN
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar enmodo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector estáligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellosinyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso....
AUTÓNOMA DE MÉXICO
Facultad de estudios superiores
(Cuautitlán campo 4)
Ingeniería mecánica Eléctrica
Laboratorio de Electrónica Industrial Grupo 1611-A
Profesor: Rivera López José Luis
Alumno: Gómez Zamora Francisco Eduardo
“Transistor bipolar de juntura (TBJ) y polarización de circuitos con TBJ Practica No 5”
Fecha de realización 12-10-09Fecha de entrega 18-10-09
Semestre 2010-1
“Por mi raza hablara el espíritu”
Practica 5 “Transistor Bipolar de Juntura TBJ y polarización de circuitos con TBJ”
Objetivos:
✓ El alumno aprenderá a reconocer un transistor en buen estado de uno en mal estado, asi como a reconocer si se trata de un transistor NPN o un PNP.
✓ Medir los parámetros del transistor bipolar de unióntrabajando en corte, saturación y ampliación. Medir el efecto que produce el polarizar a un transistor en la región activa.
✓ Medir la potencia disipada por el transistor trabajando en cada una de las tres regiones.
Introducción:
El transistor bipolar de juntura (BJT)
La abreviatura BJT (bipolar junction transistor o transistor de unión bipolar) se aplica a menudo a este dispositivode tres terminales.
El termino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente, Si solo uno de los portadores se emplea (electron o huevo), se considera que el dispositivo es unipolar.
ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR
El transistor bipolar de juntura se puede definir como la unión de tres obleas de silicio oGermanio dopadas alternativamente con material tipo PNP p NPN como se aprecia en la figura 1 para un material tipo NPN.
Material tipo NPN
A cada material dopado se conecta un terminal metallico al que llamaremos terminal de Emisor, terminal de Base y terminal de Colector. Sin embargo, cada material tiene un Área y cantidad de dopaje diferente entre si.
a) El emisor es el material masdipado del transistor y su area es madiana. La función principal del Emisor es Emitir electrones. Hacia el colector.
b) La Base es el material menos dopado y de area mas pequeña. Su función es de servir como Base o referencia para los otros teminales.
c) El colector es el material de mayoy area y medianamente dopado. Su función es de Colectar o recibir los electrones provenientes del Emisor.Estructura de un transistor NPN
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar enmodo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector estáligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellosinyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso....
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