Amplificador Mosfet
Páginas: 4 (826 palabras)
Publicado: 3 de octubre de 2011
INFORME DE LABORATORIO; PREAMPLIFICADOR DE SEÑAL DE AUDIO CON MOSFET
TRANSISTOR IRFZ44N (International Rectifiers)
Transistor incremental de canal n.
Apariencia y símbolo.
Máximos parámetrosproporcionados por el fabricante.
Parámetros a temperatura ambiente.
El TDA es un amplificador de potencia, cuya principal característica es que es doble (dos dispositivos en uno, cuya finalidades la misma) y su capacidad de intensidad es alta (3,6 A aproximadamente).
TDA2004 (ST microlectronics)
Amplificador de audio estéreo de 10 W de potencia.
Apariencia y terminales.
Parámetrosmáximos o extremos de operación.
Parámetros a temperatura ambiente.
Circuito en aplicación.
1. OBJETIVOS
* Reconocer la función que cumple el dispositivo TDA en la práctica real.
*Lograr que los cálculos matemáticos coincidan tanto con la simulación, como con el montaje de la práctica real.
* Reconocer la función que cumple el transistor en el circuito.
* Lograr que laseñal de salida sea la esperada según los cálculos que se realicen y que el funcionamiento del dispositivo sea eficiente.
2. PROCESO DE DISEÑO Y CÁLCULOS MATEMÁTICOS
El siguiente, es elmodelo del preamplificador con las resistencias a definir.
Vamos dar primero que todo, unos valores iniciales definidos tanto por el fabricante del MOSFET, como asumidos por los diseñadores.
Vdd=12VVdsq=6V
Idq=10mA
Vt=3,533V
Av=-10
Vgs(on)=10V
Id(on)=25A
Primero vamos a determinar el valor de la constante K, para sacar el valor de Idq, mediante la siguiente formula:
K=IdonVdson-Vt2K=2510-3,5332
Por lo tanto, K=0,597
Ahora, procedemos a sacar el valor del voltaje Vgs, mediante la siguiente formula:
Vgs=IdqK+Vt
Vgs=10x10^-30,597+3,533
Por lo tanto, Vgs=3,66
Para hallar gmutilizaremos la siguiente formula
gm=2kvgs-vt
gm=2(0.597)3.66-3.533
gm=0.1516
Definiremos, Rd por medio de la siguiente ecuación.
Av=gmRd
Rd=Avgm
Rd=100.1516
Rd=65.9Ω
Ahora, se definirá la...
TRANSISTOR IRFZ44N (International Rectifiers)
Transistor incremental de canal n.
Apariencia y símbolo.
Máximos parámetrosproporcionados por el fabricante.
Parámetros a temperatura ambiente.
El TDA es un amplificador de potencia, cuya principal característica es que es doble (dos dispositivos en uno, cuya finalidades la misma) y su capacidad de intensidad es alta (3,6 A aproximadamente).
TDA2004 (ST microlectronics)
Amplificador de audio estéreo de 10 W de potencia.
Apariencia y terminales.
Parámetrosmáximos o extremos de operación.
Parámetros a temperatura ambiente.
Circuito en aplicación.
1. OBJETIVOS
* Reconocer la función que cumple el dispositivo TDA en la práctica real.
*Lograr que los cálculos matemáticos coincidan tanto con la simulación, como con el montaje de la práctica real.
* Reconocer la función que cumple el transistor en el circuito.
* Lograr que laseñal de salida sea la esperada según los cálculos que se realicen y que el funcionamiento del dispositivo sea eficiente.
2. PROCESO DE DISEÑO Y CÁLCULOS MATEMÁTICOS
El siguiente, es elmodelo del preamplificador con las resistencias a definir.
Vamos dar primero que todo, unos valores iniciales definidos tanto por el fabricante del MOSFET, como asumidos por los diseñadores.
Vdd=12VVdsq=6V
Idq=10mA
Vt=3,533V
Av=-10
Vgs(on)=10V
Id(on)=25A
Primero vamos a determinar el valor de la constante K, para sacar el valor de Idq, mediante la siguiente formula:
K=IdonVdson-Vt2K=2510-3,5332
Por lo tanto, K=0,597
Ahora, procedemos a sacar el valor del voltaje Vgs, mediante la siguiente formula:
Vgs=IdqK+Vt
Vgs=10x10^-30,597+3,533
Por lo tanto, Vgs=3,66
Para hallar gmutilizaremos la siguiente formula
gm=2kvgs-vt
gm=2(0.597)3.66-3.533
gm=0.1516
Definiremos, Rd por medio de la siguiente ecuación.
Av=gmRd
Rd=Avgm
Rd=100.1516
Rd=65.9Ω
Ahora, se definirá la...
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