Analogo

Páginas: 7 (1510 palabras) Publicado: 13 de octubre de 2012
PRÁCTICA_2
EL TRANSISTOR BJT EN APLICACIONES NO LINEALES

PRESENTADO POR:
HARRISON QUINTERO
CC: 1036928875
YESID VALENCIA
CC : 15446099

PROGRAMA:
INGENIERIA ELECTRÓNICA

MATERIA:
DISEÑO ANÁLOGO_2

PRESENTADO A:
LUIS FELIPE ECHEVERRI

UCO
RIONEGRO
07-11-2010
INTRODUCCIÓN
La comunicación por infrarrojo es una forma muy sencilla para desarrollar dicho proceso; es decir esmuy óptima y discreta a la hora de implementar el infrarrojo como un sistema de vigilancia o como un sistema de conteo de eventos.

OBJETIVO

Implementar la comunicación entre dos puntos relativamente distantes, con la finalidad ya sea de cuenta de eventos o de vigilancia.
Implementar un sistema de transmisión de audio vía infrarrojo entre dos puntos relativamente distantes

* PRIMERAPARTE: SISTEMA DE DETECCIÓN DE EVENTOS
Para empezar hemos tomado una potencia de 80 mW trabajaremos el sistema con un tip 122.
Ahora necesitamos saber cuánto voltaje se cae en el diodo o en el leed emisor, a una corriente de 10 mA y nos da que
10 mA----------1.2 V.
Pero como la ecuación de la corriente para el diodo no es lineal entonces hallamos la corriente y el voltaje de forma iterativacomo se verá a continuación:
ID=Is*eVD/Vt, despejamos Is de la siguiente manera
Is=IDeVo/Vt
Is=10mAe1.2 V/25 mV=14.25*10-24A
Ahora hallamos cuanto voltaje se cae en el diodo a 1.7 A de la siguiente manera:
VD=80 mWID
ID=Is*eVD/Vt , como lo habíamos mencionado, son dos ecuaciones, una lineal y una exponencial, por lo tanto resolvemos el sistema con un método iterativo así:
ID=80 mW1.2V*0.04=1.6665 A
Como vemos en la ecuación; el denominador esta multiplicado por 0.04, que significa el ciclo de dureza; es decir el tiempo de vida útil para el diodo.
Ahora hallemos el VD remplazando la nueva corriente asi:
ID=Is*eVD/Vt
1.6666 A=14.25*10-24*eVD/25mV
1.1695*1023= eVD/25mV
VD=ln1.1695*1023*25 mV=1.3279 V

Ahora desarrollamos la segunda iteración:
ID=80 mW1.3279 V=1.5061 A , yaestá multiplicado por el ciclo de dureza (4 %);
1.5016 A=14.25*10-24*eVD/25mV
VD=ln1.0569*1023*25 mV=1.3253 V
Ahora desarrollamos la tercera iteración de una manera más simplificada:
ID=80 mW1.3253 V=1.5091 A , ya está multiplicado por el ciclo de dureza (4 %);
VD=1.3254 V
Ahora desarrollamos la cuarta iteración:
ID=80 mW1.3253 V=1.5089 A , ya está multiplicado por el ciclo de dureza (4 %);VD=1.3254 V
Y estos valores son los que tomamos para comenzar el diseño del emisor de la siguiente manera:
Ubicaremos tres diodos para tener un mejor rango de emisión, por lo tanto resulta la siguiente ecuación para hallar el voltaje de colector:
Vc=1.3254 V*3(diodos)+0.6(caída tip 122)=4.5762 V
Ahora con el voltaje de colector podemos hallar la resistancia de colector asi:
Rc=Vcc-4.5762VID=10-4.5762 V1.5089A=3.5945 Ω
Ahora podemos hallar el voltaje y la potencia de Rc de la siguiente manera:
P=VI*ciclo de dureza
VRc=3.5945 Ω*1.5089 A=5.4237 V
PRc=5.4237 V*1.5089 A=8.1838 W*0.04=0.3273W
Ahora hallamos la RB de la siguiente manera:
5V-RB*IB-1.4V=0 , suponemos una IB= 5 mA.
RB=-3.6V-5mA=720 Ω
* Ahora procedemos a la simulación del emisor con ayuda de MULTISIM:
*Esquemático del emisor:

* Gráfica del voltaje de salida:

En la grafica observamos que está saliendo aproximadamente 2.5 V lo cual es suficiente voltaje para la emisión de los leed hacia el receptor; esto con ayuda del osciloscopio.
* A continuación se verá el diseño del receptor aunque es relativamente sencillo.
* La resistencia R3 será un potenciómetro para variar la sensibilidad delreceptor.
* Para calcular la resistencia que va conectada con el leed que será el que nos mostrara que está en funcionamiento el dispositivo, hacemos lo siguiente:
Ponemos a circular 10 mA por el leed haciendo uso de la fuente DC y vemos cuanto voltaje se cae en el diodo a esta corriente; luego de tener este voltaje decimos que
Rd1=5V-2.2V10mA=280Ω
El receptor no se ha simulado ya que no...
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