Aplicaciones de diodos

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UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR
FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA
ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA


TEMA: Reporte de práctica I.

MATERIA: Electrónica I

ALUMNOS: Peñate Tobar Luis Manuel PT05008
González Aguilar Carlos Alberto GA05025

INSTRUCTOR: Jonathan Zaldaña

CATEDRATICO: Ing. José Ramos López

CICLO: II-2010

INTRODUCCION

En el presente reporte sepresenta el desarrollo de la práctica del laboratorio numero uno de Electrónica I. Se presenta una información general acerca de los diodos, su curva característica y todos los detalles que ella aporta y sus aplicaciones como son: rectificador de media onda, de onda completa y un duplicador de voltaje.
Luego se muestra el desarrollo de la práctica, en la cual se presentan los resultados teóricos pormedio de simulación, y los resultados prácticos a través de unas fotografías reales de la práctica.
Por último se encontraran las conclusiones a las que se llegaron luego de finalizada la práctica.

OBJETIVOS

 Aprender y comprender la información teórica sobre los diodos y sus aplicaciones.

 Construir los circuitos de la práctica y llevar a cabo las pruebas para obtener los resultadosprácticos.

 Comprobar que los resultados de la teoría son los mismos que en la práctica.

El Diodo
Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, secomporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña.
Curva característica del diodo

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ). La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizardirectamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal.

 Corriente máxima (Imax ). Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is ). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

 Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente esfunción de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

 Tensión de ruptura (Vr ). Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de latensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleranincrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.

 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d...
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