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La IC vari apor encima y por debajo del valor del punto Q, y por lo tanto esta en fase con la IB .
El voltaje senoidal en la terminal COLECTOR con respecto al EMISOR también varia por encima y pordebajo del punto Q, manifestándose un voltaje desfasado con una inversión de fase de 180° eléctricos.
Ahora nos referiremosa a la operación a lo largo de la RECTA DE CARGA C.A. en la familia de curvasde un Amplificador en el cual la IB varia en el punto Q con el valor de 50μA.
DETERMIAN LOS VALORES PUICO A PICO DE LA IC Y DEL VCE EN C.A. EN LA GRAFICA.
Se observa en la figura D en laproyección de IC de 4 a 6 mA, para la obtención pico a pico de 2mA, sin embargo el VCE de C.A. varia sobre la proyección de voltajes DE 1 A 2 VOLTS PARA PROPORCIONAR UN VOLTAJE PICO A PICO DE 1 V, SIENDO LASCOORDENADAS DEL PUNTO Q, VCEQ=1.5 V y la ICQ=5 mA

MODELOS DEL BJT EN C.A.

Para observar la operación de un transistor bipolar en un circuito amplificador es conveniente representarlo mediantemodelo, este circuito usado como modelo involucra varios parámetros internos del transistor para representarlo en su operación:
PARAMETROS | DESCRIPCION |
αca | ICIE |
βD.C | ICIB |
r'e |Resistencia de emisor |
r'b | Resistencia de base |
r'c | Resistencia de colector |

a) La descripción de los modelos del transistor bipolar están representados con una resistencia r’ o parámetrosr.
b) El otro sistema es referido a los parámetros h

Las figuras a y b son comúnmente usadas para modelar al transistor bipolar con los parámetros r, y dicho modelo se puede simplificarconsiderando a r'b si es de valor muy pequeño como un simple conductor, además r'c tiende a ser de alto valor, por lo que a veces se omite manipulando como un circuito abierto.
T=298°k o 25 °Ck=1.38*10-23 J/°K
q=1.602*10-19 C
KTq=1.38*10-23 J/°K298°k1.602*10-19 C=25.6mV≈26mV
r'e= 26mVIE
La interpretación de dicho modelo en función de C.A. r'e aparece entre las terminales B-E del transistor,...
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