Arseniuro De Galio

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Arseniuro de galio
Arseniuro de galio |
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General |
Nombre | Arseniuro de galio |
Otros nombres |  ? |
Fórmula química | GaAs |
Masamolar | 144.645 g/mol |
Apariencia | Cristales cúbicos grises |
Número CAS | Plantilla:CASREF |
Propiedades |
Densidad y estado | 5.3176 g/cm³, sólido. |
Solubilidad en agua | < 0.1 g/100ml (20°C) |
Punto de fusión | 1238°C (1511 K) |
Punto de ebullición |  ?°C (? K) |
Propiedades electrónicas |
Ancho de banda prohibida a 300 K | 1.424 eV |
Masa efectiva del electrón |0.067 me |
Masa efectiva Light hole | 0.082 me |
Masa efectiva Heavy hole | 0.45 me |
Movilidad del electrón a 300 K | 9200 cm²/(V·s) |
Movilidad del hueco a 300 K | 400 cm²/(V·s) |
Estructura|
Estructura cristalina | Cúbica (Zinc Blenda) |
A no ser que se diga lo contrario, estos datos son para
materiales en condiciones normales (a 25°C, 100 kPa) |
El Arseniuro de galio (GaAs) esun compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodosláser y células fotovoltaicas.
Contenido [ocultar] * 1 GaAs en tecnologías de altas frecuencias * 1.1 GaAs vs. Si y Ge * 2 Véase también * 2.1 Materiales relacionados |-------------------------------------------------
[editar]GaAs en tecnologías de altas frecuencias
La masa efectiva de la carga eléctrica del GaAs tipo N dopado es menor que en el silicio del mismo tipo, por lo queloselectrones en GaAs se aceleran a mayores velocidades, tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto es muy útil en altas frecuencias, ya que se alcanzará una frecuencia máxima de operaciónmayor.
Esta posibilidad y necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a mayores frecuencias tiene su origen en lasindustrias de defensa y espacial, en el uso de radares, comunicaciones...