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Resumen Ejecutivo del Proyecto

Nombre del Proyecto:
Construcción del Laboratorio de Microelectrónica

Fecha de inicio: 1 de noviembre de 2001
Fecha de terminación: 1 de diciembre de 2003

Descripción del problema

El actual Laboratorio de Microelectrónica del INAOE comenzó su construcción e n 1972 e inicio actividades en 1974. A partir de entonces se han desarrollado tecnologías defabricación de Circuitos Integrados (CIs) primero con tecnología Bipolar, después NMOS y finalmente CMOS. Es, a la fecha, el único laboratorio en el país con capacidad de fabricar CIs a partir de obleas de silicio. La mínima dimensión que puede ser resuelta en este laboratorio es de 10 m. El desarrollo y consolidación de la Coordinación de Electrónica, ha resultado en un incremento tanto en elequipo de fabricación como de caracterización de dispositivos y CIs. Por otro lado, las condiciones del actual laboratorio no permiten el control del ambiente; de tal manera que la reducción de geometrías tanto en dispositivos como en CIs es prácticamente imposible. Actualmente se encuentra bajo desarrollo un proceso de fabricación de CIs con tecnología BiCMOS con dimensión mínima de 0.8 m. Para estepropósito es necesario la construcción de un nuevo Laboratorio de Microelectrónica con calidad de ambiente clase 1 en los puertos de carga del equipo de fabricación. Con el desarrollo de este proceso se tendrá capacidad de fabricar dispositivos y circuitos integrados que operen en el rango de RF y aplicaciones en comunicaciones inalámbricas.

Breve descripción del proyecto

El proyectoconsiste en la construcción de un edificio de dos plantas que alojará el laboratorio. La planta baja de 800 m2 de área contendrá un cuarto limpio con clase 1 en los puertos de carga y clase 100 en el resto. La planta alta de la misma área será el de apoyo y albergará el equipo de caracterización de dispositivos y CIs. En la planta baja el ;área clase 1/100 ocupará 350 m2, el resto será el área deservicios y apoyo para la operación del equipo de fabricación. El proceso BiCMOS de 0.8 mm, será desarrollado y caracterizado en estas instalaciones. El dispositivo bipolar será un transistor bipolar con emisor de una aleación a-SiGe:H. Este dispositivo tendrá una frecuencia de corte unitaria de hasta 40 GHz. Mediante la incorporación de materiales a la tecnología de fabricación de silicio, se obtendráuna significativa reducción en las parásitas asociadas a la reducción de las dimensiones. La incorporación de materiales de baja constante dieléctrica, la reducción de resistencias de contacto a las regiones de fuente y drenaje de los dispositivos MOS y la ingeniería de estas mismas regiones, harán de este proceso de fabricación uno capaz de producir dispositivos y CIs operando en la frecuenciasusadas en comunicaciones inalámbricas con el nuevo estándar de 2.3 GHz. Por otro lado la incorporación de materiales compatibles con al tecnología de silicio, permitirá el desarrollo de optoelectrónica en base de silicio, área en al que hemos incursionado con éxito [1-3].

El desarrollo de este proyecto permitirá contar con una tecnología nacional de fabricación de dispositivos y CIs paraaplicaciones tanto en optoelectrónica como en comunicaciones inalámbricas. Con esto proyecto se formarán recursos humanos altamente calificados en el área de la electrónica moderna. Recursos humanos que formarán parte de masa crítica necesaria para hacer de nuestro país uno atractivo a la industria de alta tecnología, con la consecuente generación de empleos altamente calificados y de esta maneracontribuir a elevar el nivel de vida de la población. Asimismo, este proyecto dará la pauta inicial para el desarrollo de la Nanoelectrónica, área de gran impacto a futuro muy próximo y en la que mediante el empleo de substratos de silicio con orientaciones de alto índice cristalino estaremos en posibilidades de insertarnos en este campo de gran actualidad. Por supuesto, que los resultados aquí...
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