Caracteristicas tecnicas del diodo

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EL DIODO NOMBRE : Juárez Villeda Jesús
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en 1874, cuando se observó la conducción en un sentido en cristales de sulfuro, 25 años más tarde se empleó el rectificador de cristales de galena para la detección de ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarrolló el primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo deGermanio.
POLARIZACIÓN
CIRCUITO CARACTERÍSTICAS
DIRECTA
el ánodo se conecta al positivo de la batería y el cátodo al negativo.
El diodo conduce con una caída de tensión de 0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia interna seria muy bajo. Se comporta como un interruptor cerrado

INVERSA
el ánodo se conecta al negativo y el cátodo al positivo de la batería
El diodo no conduce y todala tensión de la pila cae sobre el. Puede existir una corriente de fuga del orden de µA. El valor de la resistencia interna sería muy alto Se comporta como un interruptor abierto.
Valores nominales de tensión:
VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción. .
VR = Tensión inversa en los extremos del diodo en polarización inversa.VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva.
VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva.
VRWM = Tensión inversa de cresta de funcionamiento.
Valores nominales de corriente:
IF = Corriente directa. .
IR = Corriente inversa.
IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.
IFSM= Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.


TRANSISTOR
Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.
VCB....................................60 V (máximo valor en inversa)
VCEo...................................40 V (máximo valor en inversa con la base abierta)
VEB.......................................6 V (máximo valor en inversa)
En realidad enla hoja de características tenemos que diferenciar los transistores en:
• Transistores de pequeña señal (IC pequeña), por ejemplo: 2N3904.
• Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.
Corriente y potencia máximas
En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unión más problemática la unión CB, porque es la que más se calienta.
En untransistor se dan tres tipos de temperaturas:
• Tj = Temperatura de la unión.
• TC = Temperatura de la capsula.
• TA = Temperatura del ambiente.
EJEMPLO: Tj = 200 ºC
Para sacar el calor de la unión tenemos que el flujo calorífico ha de pasar de la unión al encapsulado y posteriormente al ambiente.
Hay una resistencia térmica unión-cápsula que dificulta que el calor pase de la unión a lacápsula (jC).
Hay una resistencia térmica cápsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la cápsula al ambiente (CA).
jC = 125 ºC/W
CA = 232 ºC/W
jA = 357 ºC/W
Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.
Factor de ajuste
Indica como disminuye la PDmáx por cada grado de aumento de temperatura por encima de un valor determinado.
EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmáx = 350 mW (a25 ºC) Factor de ajuste = - 2,8 mW/ºC Si TA aumenta a 60 ºC: PDmáx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia térmica: Factorde ajuste = 1 / jA
Resistencia
Una vez fabricadas su valor es fijo.
SíMBOLOS UNIDAD
O
CARACTERíSTICAS TéCNICAS GENERALES
A- Resistencia nominal.
Es el valor teórico esperado al acabar el proceso de fabricación.
B-Tolerancia.
Diferencia entre las desviaciones superior e inferior . Se da en tanto por ciento. Nos da una idea de la precisión del componente. Cuando el valor de la...
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