circuitos boost
Páginas: 8 (1893 palabras)
Publicado: 30 de mayo de 2014
INFORME DE LA PRÁCTICA DE LABORATORIO # 1 CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES MOSFET E IGBT Y RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA NO CONTROLADO.
Edwin Jaramillo
e-mail: ejaramillos@est.ups.edu.ec
Alex Perez
e-mail: aperezch@est.ups.edu.ec
Daniel Vásquez
e-mail: dvasquezt@est.ups.edu.ec
ABSTRACT: Measurements of the Mosfet and IGBT and its behavior in the firing of the same module, plusanalysis of the signal of a three-phase full wave Rectifier.
.
KEY WORDS: Mosfet, IGBT, Source, Gate.
1. OBJETIVOS
Mediante el disparo del Mosfet e igbt observar el encendido de una lámpara y tomar mediciones.
Verificar el funcionamiento del rectificador trifásico de onda completa no controlado y tomar mediciones.
Comprender el voltaje Umbral visto el efecto desde la lámpara.Medir las cargas resistivas y tensiones de carga y gate-source tanto para el Mosfet e IGBT.
Armar el rectificador trifásico y analizar la salida tanto en los instrumentos de medida y osciloscopio, anotar sus valores.
2. MARCO TEÓRICO
2.1 Introducción al MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferenciaentre estos estriba en que, en los MOS, la puerta está aislada del canal, consiguiéndose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequeña, prácticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevadísima, del orden de 10.000 MW, lo que les convierte en componentes ideales para amplificar señales muy débiles.
Existen dos tiposde MOSFET en función de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicación como amplificadores de señales débiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una mayor aplicación en circuitos digitales y sobre todo en la construcción de circuitos integrados, debido a supequeño consumo y al reducido espacio que ocupan. [1].
2.2 MOSFET de empobrecimiento
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga queaparecía en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N. [1].
Fig1. Mosfet de tipo empobrecimiento [1].
Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:
Fig2. Mosfet de tipo enriquecimiento [1].
La forma de trabajo deempobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenado a través del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor será esta corriente. Como ocurría con el JFET, la tensión negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido alempobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenado. Aquí se aprecia claramente que, el fenómeno de control se realiza a través del efecto del campo eléctrico generado por la tensión VGG de la puerta.
Debido a que la puerta está aislada del canal, se puede aplicar una tensión positiva de polarización al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET enenriquecimiento. Efectivamente, la tensión positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensión positiva VGG, aumenta también la corriente de drenado. [1].
2.3 Transistores IGBT
Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un híbrido entre los transistores...
Edwin Jaramillo
e-mail: ejaramillos@est.ups.edu.ec
Alex Perez
e-mail: aperezch@est.ups.edu.ec
Daniel Vásquez
e-mail: dvasquezt@est.ups.edu.ec
ABSTRACT: Measurements of the Mosfet and IGBT and its behavior in the firing of the same module, plusanalysis of the signal of a three-phase full wave Rectifier.
.
KEY WORDS: Mosfet, IGBT, Source, Gate.
1. OBJETIVOS
Mediante el disparo del Mosfet e igbt observar el encendido de una lámpara y tomar mediciones.
Verificar el funcionamiento del rectificador trifásico de onda completa no controlado y tomar mediciones.
Comprender el voltaje Umbral visto el efecto desde la lámpara.Medir las cargas resistivas y tensiones de carga y gate-source tanto para el Mosfet e IGBT.
Armar el rectificador trifásico y analizar la salida tanto en los instrumentos de medida y osciloscopio, anotar sus valores.
2. MARCO TEÓRICO
2.1 Introducción al MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferenciaentre estos estriba en que, en los MOS, la puerta está aislada del canal, consiguiéndose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequeña, prácticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevadísima, del orden de 10.000 MW, lo que les convierte en componentes ideales para amplificar señales muy débiles.
Existen dos tiposde MOSFET en función de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicación como amplificadores de señales débiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una mayor aplicación en circuitos digitales y sobre todo en la construcción de circuitos integrados, debido a supequeño consumo y al reducido espacio que ocupan. [1].
2.2 MOSFET de empobrecimiento
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga queaparecía en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N. [1].
Fig1. Mosfet de tipo empobrecimiento [1].
Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:
Fig2. Mosfet de tipo enriquecimiento [1].
La forma de trabajo deempobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenado a través del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor será esta corriente. Como ocurría con el JFET, la tensión negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido alempobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenado. Aquí se aprecia claramente que, el fenómeno de control se realiza a través del efecto del campo eléctrico generado por la tensión VGG de la puerta.
Debido a que la puerta está aislada del canal, se puede aplicar una tensión positiva de polarización al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET enenriquecimiento. Efectivamente, la tensión positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensión positiva VGG, aumenta también la corriente de drenado. [1].
2.3 Transistores IGBT
Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un híbrido entre los transistores...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.