Circuitos Fet
Figura 3-3 Estructura y símbolo del transistor de efecto de campo de canal n (JFET)
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Queda entonces definida la fuente (S) , el Drenaje (D) y la puerta (G) y las corrientes y tensiones asociadas a cada borne o par de ellos. De forma análoga se realiza lamisma representación para un FET de canal tipo p en la figura siguiente:
Figura 3-4 Estructura y símbolo del transistor de efecto de campo de canal p (JFET)
Funcionamiento de JFET A manera de ejemplo veremos el dispositivo JFET de canal n en la configuración de fuente común (SPG). Como se muestra en la figura siguiente
Figura 3-5 Transistor JFET de canal n en configuración de puerta común.Observemos que al conectar a un potencial positivo el drenaje con respecto al potencial de la fuente (tomado como referencia) los electrones circularán por el semiconductor en tanto haya niveles de conducción disponibles. La corriente
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eléctrica se verá afectada sólo por la resistencia (ohmica) que opondrá el semiconductor a su paso. Pero en la medida que apliquemos un potencialpolarizando en inversa la unión pn entre la fuente y la puerta generaremos un zona de deplexión alrededor de la misma cuyo tamaño dependerá de la diferencia de potencial en la juntura. En la figura se resalta la zona de deplexión generada al colocarle una tensión negativa a la(s) puerta(s). Se ve que la zona de deplexión no tiene igual tamaño todo a lo largo de la puerta, esto se debe a la caída de tensióna lo largo del semiconductor. El espesor de la zona de deplexión limita la región por donde pueden circular electrones en el semiconductor. Al haber menor cantidad de niveles de conducción será menor la corriente eléctrica, de tal manera la intensidad de la tensión de polarización inversa de la puerta regula el paso de corriente eléctrica por el canal. Hacia el drenaje. Si aumentamos la tensióninversa VSG llegaremos a algún valor tal Vp llamada tensión de estricción a la que el ancho del canal queda reducido a cero porque han sido eliminadas todas las cargas libres. Entonces la corriente de drenaje ID tomada como función de la tensión fuente drenaje VSD tendrá que parametrizarse en función de la tensión de polarización inversa VSG
Descripción de la forma de fabricación del JFET con...
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