Circuitos Integrados

Nombre/Pieza: Circuito integral:
* Es una pastilla pequeña de material semiconductor, de algunos milímetros cuadrados de área.
* Fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado de plástico o cerámica.
* Esta en computadoras, teléfonos móviles y otras aplicaciones digitales son ahora partes de las sociedades modernas.  
* Lainformática, las comunicaciones, la manufactura y los sistemas de transporte, incluyendo Internet, todos dependen de la existencia de los circuitos integrados.
*Muchos estudiosos piensan que la revolución digital causada por los circuitos integrados es uno de los sucesos más significativos de la historia de la humanidad.
*Tipos: +Circuitos monolíticos
+Circuitos híbridos de capa fina +Circuitoshíbridos de capa gruesa Familia    

Familia:
*Quad op amp
*Timer mini dip
*Quad nand gate 2 in
*Gp op amp
* Hztl/Vtcl Processor for tv
*Switching regulator ic
*Quad op amp Bi-Fet
*QUAD LOW PWR OFFSET VOLT COMPARATOR
*HEX INVERTER
  
+HEX INVERTER:
*En la lógica digital, un inversor o puerta NOT es una puerta lógica que implementa la negación lógica.
* La "fuga resistiva 'utilizasólo un único tipo de transistor, que puede ser fabricado a bajo coste.
*El voltaje de salida, V OH , puede ser una medida de la intensidad de la señal de conducción cuando muchos dispositivos en cascada juntos.
*La tolerancia al ruido puede medirse comparando la entrada mínima a la máxima producción para cada región de funcionamiento (on / off).    

+QUAD OP AMP:
*Operación de alimentaciónúnica de entrada Rango de voltaje extiende a Tierra 
Swings salida a terreno a la vez, sumidero.
*Pin Compatible con 1458 y 324 con especificaciones de precisión.
*Garantizada Voltage Offset: 150μV Max
*Garantizada Deriva Baja: 2μV / ° C Max
*Garantizada Max 0.8nA: Offset actual
*Garantizada High Gain 
5mA Corriente de carga: 1,5 millones Min 
17mA Corriente de carga: 0,8 millones de Min*Garantizado suministro bajo: 500μA Max
*El ruido de baja tensión, 0,1 Hz a 10 Hz: 0.55μV P-P
*Corriente Débil ruido Mejor que 0P-07, 0.07pA / √ Hz    

+TIMER MINI DIP:
* Control y proteccion de la funciones
* Proteccion del circuito integral mas el voltaje depositado
* Alta capacidad para las resistencia de poder por partes.
* Posee la capacidad de cambiar la densidad de forma alta y bajade electricidad.
   
+QUAD NAND GATE 2 IN:
 *Para las condiciones mostradas como MIN o MAX, utilice el valor apropiado especificado en las condiciones de operación recomendadas para el tipo de aplicación.
*Todos los valores son típicos en VCC = 5V, Tamb = 25 ° C.
* No más de una salida debe ser cortocircuitado a la vez. *Para la prueba de IOS, el uso del aparato de ensayo de alta velocidad y/ o de muestreo y retención
técnicas son preferibles con el fin de minimizar el calentamiento interno y reflejar con más precisión los valores de funcionamiento.     

+GP OP AMP:
*Amplificador Tipo  Propósito General: Potencia Tipo de alimentación Dual
*Tensión de alimentación dual típica: ± 12 V, ± 15 V, ± 3 V, ± 5 V, ± 9 V
*Ganancia de tensión típica: 120 dB
* Ganancia típico productode ancho de banda: 8MHz
* Velocidad de respuesta típica 20V/μs
*Ancho: 6.35mm
*Dimensiones:  9,81 x 6,35 x 4,57 mm
* Altura:  4,57 mm
* Longitud: 9.81mm
* Temperatura de trabajo máxima: +85 ° C
* Temperatura de trabajo mínima: -40 ° C    

+Quad op amp Bi-Fet:
*Filtros activos
*Buffers Quad de salida para 12 - y 14-Bit DACs
*Buffer de entrada de ADCs de precisión
*Aplicaciones de lasfotos Diodo Preamplificador    

+QUAD LOW PWR OFFSET VOLT COMPARATOR:
*Amplios rangos de suministro
*Casa de alimentación: 2 V a 36 V
*Dos fuentes: ± 1 V a ± 18 V
*Polarización de entrada bajo: 25 nA (tipo)
*Low Input Offset actual: 3 nA (Typ) (LM139)
*Bajo voltaje de entrada Offset: 2 mV (tipo)
*Common-Mode Rango de voltaje de entrada incluye Ground
*Entrada diferencial Rango...