Circuitos

PRIMER EXPERIMENTO

| VR | VD | ID |
1N4007 | 4.273V | 727.3mV | 23.74mA |
1N34A | 3.950V | 1.050V | 21.94mA |







SEGUNDO EXPERIMENTO

|VR | VD | ID |
1N4007 | 9.460nV | 5V | 52.55nA |
1N34A | 9.037nV | 5V | 50.29nA |

TERCER EXPERIMENTO

TABLA DE RESULTADOS
Ve | 0.2 | 0.4 | 0.6 | 0.8 | 1 | 1.5 |2 | 2.5 | 3 | 4 |
ID | 210.1nA | 13.14nA | 115nA | 275.4nA | 452.9nA | 920.8nA | 1.402mA | 1.888mA | 2.378mA | 3.362mA |
VD | 199.8mV | 386.9mV | 485mV | 524.6mV |547.1mV | 579.3mV | 598.3mV | 611.8mV | 622.3mV | 638mV |
VR | 210.1nV | 13.14mV | 115mV | 275.4mV | 452.9mV | 920.7mV | 1.402V | 1.888V | 2.378V | 3.362V |

Ve | 4.5| 5 | 5.5 | 6 | 6.5 | 7 | 7.5 | 8 | 8.5 |
ID | 3.856mA | 4.350mA | 4.845mA | 5.341mA | 5.837mA | 6.333mA | 6.830mA | 7.327mA | 7.824mA |
VD | 644.2mV | 649.7mV |654.6mV | 659mV | 663.1mV | 666.8mV | 670.2mV | 673.4mV | 676.4mV |
VR | 3.856V | 4.350V | 4.845V | 5.341V | 5.837 | 6.333V | 6.830V | 7.327V | 7.824V |
TERCEREXPERIMENTO
EN ESTE CASO INVERTIREMOS LOS DIODOS PARA VER CUAL SERA LOS RESULTADO QUE NOS ARROJA EL CIRCUIT MAKER PARA LUEGO SACARLOS EN LA TABLA.

Ve | 0.2 | 0.4 | 0.6 | 0.8 |1 | 1.5 | 2 | 2.5 | 3 | 4 |
ID | 2nA | 4nA | 6nA | 8nA | 10nA | 15nA | 20nA | 25nA | 30nA | 40nA |
VD | 200mV | 400mV | 600mV | 800mV | 1V | 1.5V | 2V | 2.5V | 3V |4V |
VR | 2nV | 4nV | 6nV | 8nV | 10nV | 15nV | 20nV | 25nV | 30nV | 40nV |

Ve | 4.5 | 5 | 5.5 | 6 | 6.5 | 7 | 7.5 | 8 | 8.5 |
ID | 45nA | 50nA | 55nA | 60nA |65nA | 70nA | 75nA | 80nA | 85nA |
VD | 4.5V | 5V | 5.5V | 6V | 6.5V | 7V | 7.5V | 8V | 8.5V |
VR | 45nV | 50nV | 55nA | 60nA | 65nA | 70nA | 75nA | 80nA | 85nA |