Circuitos

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TEMA I Introducción al análisis de circuitos con transistores

CEAN-I-0

TEMA I Introducción al análisis de circuitos con transistores
• Ideas básicas: dispositivos • Análisis de pequeña señal• Modelos de transistores en pequeña señal • Configuraciones básicas: amplificadores de una etapa • Amplificadores de varias etapas • Par diferencial

CEAN-I-0a

Transistores bipolares
C iB ic vCEE B vEB E iB C ic vEC

npn

B vBE

pnp

• Activa
v BE ⎛ vVBE ⎞ I αF iC = I S ⎜ e T − 1⎟ + S ≈ I S e VT = α F iE = iB = β F iB ⎜ ⎟ αR 1− αF ⎝ ⎠

v BE ≈ 0.7V

• Saturación
vCE ≈ VCE ,sat≈ 0.2V ; v BE ≈ 0.7V

• Corte
iC = iB = iE = 0

• Análisis (Fig. 4.6,9,10. Ap 4.7.2)
CEAN-I-0b

CEAN-I-04

Transistores de efecto de campo
De puerta aislada
MOSFETs
Acumulación DeplexiónDe puerta de unión
MESFETs JFETs
Canal n D G S S G S Canal p D

Canal n D G S G

Canal p D G S

Canal n D G S

Canal p D

CEAN-I-0c

Transistores MOSFET
D iD vDS vGS S G vSG S D iDvSD

canal n

G

canal-p

• Activa (o saturación)
iD = k (vGS − Vt )2 2

• Óhmica
k k 2 2( vGS − Vt )v DS − v DS ≈ [2(vGS − Vt )v DS ] 2 2 v 1 2 iD ≈ DS ; con RNMOS = , si v DS ≤ 0.2 vGS −Vt RNMOS k (vGS − Vt ) iD =

[

]

• Corte
iD = 0

• Análisis (Fig. 5.7. Ap. 5.2.2)
CEAN-I-0d

CEAN-I-05

Transistores JFET
D iD D iD G vSG S vSD vDS

canal n

G vGS S

canal-p• Activa (o saturación)
iD = β (vGS − VP )
2

• Óhmica
2 iD = β 2( vGS − VP )v DS − v DS ≈ 2 β ( vGS − VP )v DS v DS 1 iD ≈ ; con RN − JFET = , si v DS ≤ 0.2 vGS − VP RN − JFET 2 β (vGS − VP)

[

]

• Corte
iD = 0

• Análisis (Fig. 5.39. Ap. 5.7.2) • Resumen (Fig. 5.43. Ap. 5.7.3)
CEAN-I-0e

CEAN-I-06

Análisis de circuitos con transistores
• Polarización – Anulargeneradores de señal, manteniendo los de continua – Sustituir condensadores de acoplo y desacoplo por un circuito abierto – Sustituir cada transistor por su modelo de continua – Calcular el punto de...
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