Compensadores

INSTITUTO TECNOLIGICO DE CHIHUAHUA
REPORTE 2

ANALOGICA II
RESPUESTA EN BAJA, MEDIA Y ALTA
FRECUENNCIA.

CATEDRATICO: JOSE MANUEL LOPEZ RODRIGUEZ
EQUIPO:
DANIEL GONZALEZ NUÑEZ
MIGUEL ANGEL NIETO VIEZCA
JULIAN VILLAGRAN LOPEZ
Objetivo.
El objetivo de esta práctica es poder observar el funcionamiento de los transistores BJT trabajando como amplificadores de dos etapas. Ademásde poder contemplar la respuesta en frecuencia del BJT en los diferentes tipos de frecuencia, ya sea bajas, media o altas frecuencias y como trabajan juntos los dos transistores.

Marco teórico.

BJT (transistor de unión bipolar).
Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través desus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja

Amplificador.
Es todo dispositivo que, mediante lautilización de energía, magnifica la amplitud de un fenómeno.

FRECUENCIA.
Es una medida que se utiliza generalmente para indicar el número de repeticiones de cualquier fenómeno o suceso periódico en la unidad de tiempo. La frecuencia se mide en Hertz (Hz), los hertz es una unidad medida que se utiliza generalmente para indicar el número de repeticiones de cualquier fenómeno o suceso periódico enla unidad de tiempo.

Respuesta a alta frecuencia de un amplificador BJT.
En estos niveles de frecuencia hay dos factores que intervienen: la capacitancia de la red (parásita e introducida) y la dependencia a la frecuencia hfe.

Desarrollo:

Vs=1mv
Rs=100Ω
Ci=Co1=1μf
R1=R3=39kΩ
R2=7.20kΩ
RC1=RC2=RL=2.2kΩ
RE1=RE2=590kΩ
CE1=100μf
Ce2=1μf

Análisis:
Primera etapa:RB=39 Ω3.9 kΩ39 kΩ+3.9 kΩ=3.54 kΩ
VBB=VCCR2R1+R2=12 V7.20 kΩ7.20 kΩ +39 kΩ=1.87 V
IB1=VBB-VBERB+β1+1RE=1.87 V-.73.54 kΩ+121+1590 Ω
IB!=15.49 μA
IC1=β1IB1=12115.49 μA
IC1=1.8746 mA
VECQ1=VCC-ICRC+RE=12-1.8746 mA2.2 kΩ+590Ω
VCEQ1=6.7698 V
Rectas de carga primera etapa
Recta carga CD
IC1=VCCRC=12 V2.2 kΩ
IC1=5.4545 mA
VCEQ1=VCC=12 V
Recta carga CA
IE1=β1+1IB1=12115.49 μA
IE1=1.8742mA
β1re1=β126 mVIE=12126 mV1.8742 mA=1.6785 kΩ
RL'1=RCβ1re1RB=2.2 kΩ3.8770 kΩ3.54 kΩ
RL'1=1200.7414 Ω
VCEQ1+ICQ1RL'1=6.7698 V+5.4545 mA1200.7414 Ω
VCEQ1+ICQ1RL'1=13.3192 V
ICQ1+VCEQ1RL'1=5.4545mA+6.7698 V1200.7414 Ω
ICQ1+VCEQ1RL'1=11.0925 mA

Segunda etapa:
IB2=VBB-VBERB+β2+1RE=1.87-.73.54 kΩ+121590 kΩ

IB2=15.49 μA
ICQ2=β2IB2=12115.49 μA
ICQ2= 1.8742 mAVCEQ2=VCC-ICQ2RC+RE=12-1.8746 mA2.2 kΩ+590Ω
VCEQ2=7.3322 V
RL'2=RCRL=2.2 kΩ2.2kΩ=1.1 kΩ

Rectas de carga:
Recta CD
IC2 =VCCRC=12V2.2 kΩ
IC2=5.4545 mA
VCEQ2 =VCC=12 V
Recta CA
VCEQ2+ICQ2RL'2=7.3322V+1.8742 mA1.1kΩ
VCEQ2+ICQ2RL'2=9.3938 V
ICQ2+VCEQ2RL'2=1.8742 mA+7.3322 V1.1 kΩ
ICQ2+VCEQ2RL'2=8.5398 mA

Análisis en baja frecuencia:

Función de transferencia

Si RB1≫hie1
Vs=Rs+hie1+1SCiib1
SiRi=Rs+hie1
Vsib1=Ri+1SCi
Si Ti=RiCi
Vsib1=STi+1SCi
ib1Vs=SCiSTi+1
Vo= -hfeib2RC2RL+1SCo2+RC2
Voib2=-hfeRC2 RL+1SCo2+RC2
ib2=RC11SCo1+hie2+RC1-hfeib1
ib2ib1=-hfeRC11SCo1+hie2+RC1
ib1Vs*ib2ib1*Voib2=VoVs
VoVs=SCiSTi+1*-hfeRC11SCo1+hie2+RC1*-hfeRC2 RL+1SCo2+RC2
VoVs=SCihfeRC1hfeRC2STi+11SCo1+hie2+RC1RL+1SCo2+RC2
VoVs=SCihfeRC1hfeRC2STi+11SCo1+hie2+RC1RL+1SCo2+RC2*SCoSCoVoVs=SCihfeRC1hfeRC2SCo STi+11+SCohie2+SCoRC1RL+1SCo2+RC2
VoVs=SCihfeRC1hfeRC2SCo STi+11+SCohie2+SCoRC1RL+1SCo2+RC2*SCo2SCo2

VoVs=SCihfeRC1hfeRC2SCoSCo2 STi+11+SCohie2+SCoRC1RLSCo2+1+RC2SCo2

VoVs=SCihfeRC1hfeRC2SCoSCo2STi+STiSCohie2+STiSCoRC1+1+SCohie2+SCoRC1RLSCo2+1+RC2SCo2
Si :
Ta=Cohie2
Tb=CoRC1
TC=Co2RL
Td=Co2RC2
VoVs=S3Cihfe1TbTdhfe2STi+STiSTa+STiSTb+1+STa+STbSTc+1+STd...