Configuración base común

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Configuración de base común.
La notación y símbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura A para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología relativa a base común se desprende del hecho de que la base es común a los lados de entrada y salida de la configuración.Además, la base es usualmente la terminal más cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirán a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta elección se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresarialeshace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los símbolos electrónicos tienen una dirección definida por esta convención. Recuérdese que la flecha en el símbolo del diodo define la dirección de conducción para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha del símbolo gráfico define la dirección de la corriente de emisor (flujo convencional) a través del dispositivoFigura A: Notación y símbolos en la configuración de base común.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura A son las direcciones reales, como se definen con base en la elección del flujo convencional. Nótese en cada caso que IE = IC + IB. También adviértase que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la dirección indicadapara cada rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores de base común de la figura A, se requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada o punto de manejo y elotro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común, como se muestra en la figura B, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura B: Características del punto de excitación para un transistor amplificador de silicio de base común.
El conjunto de salida relacionará una corrientede salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura C. El conjunto de características de salida o colector tiene tres regiones básicas de interés, como se indican en la figura C: las regiones activa, de corte y de saturación. La región activa es la región empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsión). Enparticular: En la región activa la unión colector-base está inversamente polarizada, mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.

Figura C: Características de salida o colector para un amplificador a transistor de base común.
La región activa se define por los arreglos de polarización de la figura A. En el extremo más bajo de la región activa la corriente deemisor (IE) es cero, la corriente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de saturación ICO, como se indica en la figura C. La corriente ICO es tan pequeña (del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existencuando IE = 0 para la configuración base común se ilustran en la figura D. La notación usada con más frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura D. A causa de las técnicas mejoradas de construcción, el nivel de ICBO para transistores de propósito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan...
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