Conmutador con mosfet

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INTRODUCCION
Este proyecto de conmutador se hace para sustentar un conocimiento sobre los mosfet ya adquirido para ello se investigó primero las características corriente y voltajes que necesitan estos dispositivos que tiene el conmutador como mosfet, resistencias ,opto acoplador , triac
¿Para qué? Para no tener ningún problema y saber cuáles de estos dispositivos podemos utilizar ycuales no o tener algunos de ellos como opcionales estos datos e informes o consultas los encontramos en data chip una página de internet que nos ayuda con la consulta de algunos dispositivos que utilizaremos después de esta consulta general realizamos unos cálculos para hallar condiciones como voltajes y corrientes del circuito para que pueda utilizar el dispositivo estos cálculos se debenhacer teniendo en cuenta los datos de los dispositivos para no quemarlos o que no funcionen por que se utiliza un poca corriente o voltaje . Al obtener datos y un funcionamiento favorable del conmutador se ha aprendido de nuevos dispositivos y sus diferentes funciones para utilizarlos en un nuevo conmutador o en el desarrollo de otro circuito

OBJETIVOS

1. Comprender la utilidad de unconmutador.
2. Analizar y comprender el comportamiento de un mosfet como interruptor electrónico.
3. Realizar el debido montaje del conmutador teniendo en cuenta el funcionamiento del mosfet y la fotorresistencia.
4. Manejar corrientes alternas y directas en un mismo circuito sin que ten tengan interacción separándolas a través de un MOC.

MARCO TEORICO
ELEMENTOS UTILIZADOS

*Fuente de voltaje DC.
* Fotorresistencia.
* MOSFET IRF540.
* Resistencias.
* MOC3012.
* Protoboard.
* Multímetro.
* Triac BT134.

MOSFET
MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total.
Uno de losmotivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensión, Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando, así, lo que sedenomina distorsión por fase.
La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.
Tiene una versiónNPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte “N” está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte “P” está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
Funcionamiento
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta.Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a lacompuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente)...
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