Desarrollo de tema cmos

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C I R C U I T O S I N T E G R A D O S CMOS
R A D I O F R E C U E N C I A E S T Á N D A R
D E 0.18 µM

DEFINICION:
Estos circuitos CMOS (semiconductor de oxido metal) son la base medular de la electrónica en el mundo actual; ya que hoy por hoy representan el 85% del mercado Digital. Por sus aplicaciones en cuanto a semiconductores; por la gran importancia que de ello se derivaincorporar cotidianamente tecnologías; que exigen más exactitud, mejores medidas, mayores precisiones, excelentes simulaciones y sobre todo control de métodos. Estos son cada vez más provechosos; constituyendo básicamente al fenómenos que dependen o comercial; en la actualidad aparecen materiales que renuevan perfeccionando al chip; mejores temperaturas críticas.
Por otra parte lapropagación de ondas electromagnéticas o difusión, se realiza por un espectro radioeléctrico a lo largo de una gama de alta, baja y alta frecuencia; la cual es originada cuando una partícula cargada (electrón) se excita a una frecuencia provocando entonces actuar sobre el semiconductor transformándola en una señal (audio, video). Figura 1.1

Figura 1.1 ejemplo de frecuencia modulada.

ANTECEDENTES:A partir de existir un comité de interés especial en lógica IEEE; existen participaciones que fomentan la línea activa de investigación; quien reconoce ampliamente poder obtener diseños de circuitos competentes en base a los tradicionales Binarios. El soporte del futuro se basa en las familias vinculadas (TTL, ECL, NMOC, CMOS). En consecuencia 1958 los primeros diseños inventados por Kilby yNoyce fueron en los inicios de lo que a la fecha conocemos como circuitos integrados chips; dichas evoluciones que expresan como reunir componentes activos y pasivos de un solo mecanismo electrónico; que es representado por una pastilla semiconductora o encapsulado; en la que principalmente es utilizada el Silicio como una mejor opción en la conducción, como se muestra en la tabla 1.2Propiedad | Valor |
Número átomico | 14 |
Peso átomico | 28,1 |
Densidad g/cm3 | 2,33 |
Constante dielectrica (Permitividad Relativa) | 11,9 |
Atomos por cm3 | 5,0x1022 |
Energía EGO a 300ºK (electrón/volt) | 1,21 |
| 1,12 |
Energía EGO a 300ºK (electrón/volt) | 1,21 |
Energía EG a 300ºK (electrón/volt) | 1,12 |
Movilidad electrones μn a 300ºK [cm2 / volt.seg] | 1500 |Movilidad de Huecos μp a 300ºK [cm2 / volt.seg] | 475 |
Concentración intrínseco a 300ºK (cm-3) | 1,45x1010 |
Constante difusión electrones Dn a 300ºK (cm2 / seg) | 34 |
Constante difusión huecos Dp a 300ºK (cm2 / seg.) | 13 |
Tabla 1.2 Propiedades del Silicio

En efecto el proceso de fabricación se basa principalmente en tecnología planar; que no es más que; todos los componentes seencuentran en la parte superior del cristal, la cual actúa de manera selectiva describiendo a la fotolitográfia miniaturizado; lo que ah permitido alcanzar las decimas de micras (m). Por otra parte existe la complejidad para llevar a cabo, realizando con características más relevantes; o como lo estableció MOORE; en la ley que estipulo y que la tendencia y complejidad de los circuitos continuaríaaño con año, y que el número de transistores se duplicaría y que así los costes disminuirían.
Por mencionar algunas ventajas se enumeran las siguientes:
1.- Esta tecnología ofrece bajo consumo (en el orden de magnitud)
2.-Posee una alta inmunidad al ruido, por tener los voltajes de salida muy próximos a la alimentación
2.-Aumenta la complejidad de operación del circuito
3.-Perimite aumentar elVoltajeDD y sobretodo el consumo de potencia
4.-Aumenta el factor Yiled
5.-Aumenta la velocidad debido a la corriente Lminima.
6.- Disminución del costo de fabricación
7.-Flexibilidad en la alimentación de 3 a 18 Volts (bajo consumo)

Desventajas:
1.-Procesos de fabricación más complejos; enn cuanto al implante iónico de difusión
2.-Aumenta el costo de fabricación
3.-Aumenta la...
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