Diodo schottky

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CONSULTA DIODO SCHOTTKY

DIODO SCHOTTKY
SIMBOLO

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas comotensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en contradel flujo de corriente éste opere de igual forma como lo haría regularmente. A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el diodo Schottky tiene una unión Metal-N. Normalmente esta formado por metales como el platino y silicio, es decir un diodo Schottky surge de la unión de un platino, con silicio de tipo n.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivosemiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivoserá mucho más rápida.
En estos diodos el platino actúa como material aceptador para los electrones cuando esta unido al silicio n y así los electrones del silicio se difunden inicialmente en el metal, esta difusión hace que el material tipo n (silicio) se empobrezca de electrones cerca de la unión y por consiguiente que adquiera un potencial positivo que se caracteriza por la falta de electrones.Cuando esta tensión llega a ser suficientemente alta, impide que los electrones se fluyan, y por otra parte cuando se aplica una tensión positiva suficientemente grande entre las terminales, los electrones de la región n están sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unión y surge una circulación de electrones.
Por lo general se utilizan en aplicaciones de conmutación de altavelocidad. La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.
La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde senecesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía, otra utilización del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

Los diodos Schottky. Son dispositivos quetienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida o de portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica se hace un material semiconductor, el...
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