Diodo

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  • Publicado : 18 de marzo de 2010
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Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como uncircuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eranválvulas grandes en chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lámparas incandescentes, lostubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del que circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante; electrones que son conducidos electrostáticamente hacia una placa característica corvada por un muelle doble cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así laconducción. Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón los circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que seencuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.

Materiales semiconductores
* Elementos del Grupo IV. Semiconductores elementales
* Diamante (C)
* Silicio (Si)
* Germanio (Ge)
* Elementos del Grupo IV. Semiconductores compuestos
* Carburo de silicio (SiC)
* Silicio-germanio (SiGe)
* Semiconductorescon elementos de los grupos III y V
* Antimoniuro de aluminio (AlSb)
* Arseniuro de aluminio (AlAs)
* Nitruro de aluminio (AlN)
* Fosfuro de aluminio (AlP)
* Nitruro de boro (BN)
* Fosfuro de boro (BP)
* Arseniuro de boro (BAs)
* Antimoniuro de galio (GaSb)
* Arseniuro de galio (GaAs)
* Nitruro de galio (GaN)
* Fosfuro de galio(GaP)
* Antimoniuro de indio (InSb)
* Arseniuro de indio (InAs)
* Nitruro de indio (InN)
* Fosfuro de indio (InP)
* Aleaciones triples con elementos de los grupos III y V
* Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs, AlxGa1-xAs)
* Arseniuro de galio-indio (InGaAs, InxGa1-xAs)
* Fosfuro de galio-indio (InGaP)
* Arseniuro de indio-aluminio (AlInAs)
*Antimoniuro de indio-aluminio (AlInSb)
* Nitruro de galio-arsenico (GaAsN)
* Fosfuro de galio-arsenico (GaAsP)
* Nitruro de galio-aluminio (AlGaN)
* Fosfuro de galio-aluminio (AlGaP)
* Nitruro de galio-indio (InGaN)
* Antimoniuro de indio-arsenico (InAsSb)
* Antimoniuro de galio-indio (InGaSb)
* Aleaciones cuádruples con elementos de los gruposIII y V* Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
* Fosfuro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsP)
* Fosfuro de indio-galio-arsénico (InGaAsP)
* Fosfuro de aluminio-indio-arsénico (AlInAsP)
* Nitruro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsN)
* Nitruro de indio-galio-arsénico (InGaAsN)
* Nitruro de indio-aluminio-arsénico (InAlAsN)
*...
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