Diodo

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Estefani Vega Garabitos 07-0918
Diodo Schottky
Los diodos en general Fueron los primeros dispositivos que llevaron a la electrónica un paso más adelante en la conquista del mundo tecnológico y aún hoy en día sigue siendo uno de los principales elementos dentro de ella, por no decir que el de más amplio uso y aplicación junto a los transistores.
El diodo Schottky tiene la particularidad deque es capaz de conmutar en entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo.

Los diodos Schottky están normalmente formados por metales como el platino y silicio, es decir un diodo Schottky surge de la unión de un platino, con silicio de tipo n.

La altavelocidad de conmutación permite rectificar señales de hasta 300MHz y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,6 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V, empleándose, por ejemplo, comoprotección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.

El diodo Schottky está más cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor común pero tiene algunas características que hacen imposible su utilización en aplicaciones de potencia.
Estas características son:
- El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha).
• Estacaracterística no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande.
• El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
• El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que latensión inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.
• Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos de alta velocidad como en computadoras, donde se necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo causa poco gasto de energía.
El símbolo del diodo Schottky se ve en el diagrama a la derecha.

Cuando se realiza unaensambladura entre una terminal metálica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzandotambién a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.
Se puede observar quesolamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensiónmáxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.
La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en las cuales las caídas en los rectificadores son significativas.
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Figura N°05 (Diodo Schottky construido a través de la técnica de CIs.)
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Curva característica de un diodo SCHOTTKY

Esta grafica representa la corriente...
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