Diodo
Característica I/V de un diodo semiconductor
Vu | Tensión umbral |
Vs | Tensión de saturación |
Vr | Tensión de ruptura |
OA | Zona de baja polarización directa, pequeñacorriente |
AB | Zona de conducción |
OC | Corriente inversa de saturación |
| A partir de C, zona de avalancha |
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generanpares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones devalencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a suvez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6v
Analizamos de la misma forma el diodo:
Se levan dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la polarización de la pila). Y así obtenemos una tabla que alponerla de forma gráfica sale algo así:
Esta es la curva característica del diodo (un diodo se comporta de esa forma). Como no es una línea recta, al diodo se le llama "Elemento No Lineal" ó "DispositivoNo Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muy difícil trabajar en las mallas con ellos debido a que sus ecuaciones son bastante complicadas.
La ecuación matemática de esta curvaes:
'
En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el diodo y las corrientes son muy grandes. Debido a estas corrientes grandes el diodo podría romperse, por eso hay...
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