Diodo

Conductores: son los que poseen poca Resistencia a la corriente. Tienen baja resistividad y abarcan los metales (core, plata, oro)
La resistividad es la resistencia eléctrica específica de unmaterial. Se designa por la letra griega rho minúscula (ρ) y se mide en ohmios por metro (Ω•m).1fo
Aislante: no permiten el paso de eletrones. Tienen alta resistividad ( madera, porcelana, caucho)Semiconductores: presentan resistividad entre conductor y aislante.pueden permitir el paso de la corriente dependiendo de factores externos( germanio, silicio)
Resistividad silicio: 50x10(-3) ohm x cmResitividad del germanio 50 ohm x cm
Hueco: lugar carente de carga electria negativa
Core: es el nucleo del atomo mas las bandas internas sin tomar la banda de valencia..
Banda de valencia. Ultimacapa de un atomo ( en los semiconductores tienen 4 electrones)
Recombinación: es cuando un electron libre ocupa un hueco.
Cuando sale un electron de la ultima banda, este deja un hueco, por lo tantoqueda un electron libre y este ocupa otro hueco…..
Brecha energética: espacio entre banda de valencia y banda de conducción
Corriente de hueco: movimiento APARENTE de huecos, producto deldesplazamiento de electrones en la banda de valencia
Niveles de enegia
Aislante:Tienen 8 electrones en su banda de valencia. Además la energía necesaria para atravesar la brecha es mayor a 5evSemoconductor: la brecha es de 1 ev para el silicio y 0.67 para el germanio. Tiene 4 electrones en su banda de valencia.
Conductores: sus brecha es muy pequeña o sus bandas están solapadas: tiene 1 electrone ensu banda de valencia.
Silicio vs germanio:
elemento | silicio | Germanio |
Voltaje de conducción | 0.7v | 0,3 v |
Temp máxima | 200 c | 100 c |
Tensión pico inversa (Piv) | 1000 v | 400v |Los atomos de silicio se unen en enlaces covalentes( compraten entre sus vecinos 8 electrones)
Impurificación: proceso para mejorar la coductividad del semiconductor.
Semiconductor intrínseco (...