Diodos dispositivos radio frecuencia

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DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA
TAREA # 3 “MODELOS DEL DIODO”
SEM. 2010-2 – ING. TELECOMUNICACIONES
MARÍN CEBALLOS CARLOS ALBERTO

MODELO DEL DIODO
Existen tres aproximaciones muy usadas paralos diodos de silicio, y cada una de ellas es útil en ciertas condiciones.
1ª Aproximación (el diodo ideal)
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen decoordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, es decir, no se puede fabricar.

Polarización directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Polarización inversa: Es comosustituir el diodo por un interruptor abierto.

Como se ha visto, el diodo actúa como un interruptor abriéndose o cerrándose dependiendo si esta en inversa o en directa. Para ver los diferentes erroresque cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada aproximación.
Ejemplo:

En polarización directa:

2ª Aproximación
La exponencial se aproxima a una vertical y a unahorizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensión umbral  para el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomaría el valor de 0,2 V).

El tramoque hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización directa, pero como a efectos prácticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximación el error es menor que en la aproximaciónanterior.
Polarización directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.

Polarización inversa: Es un interruptor abierto.

Ejemplo: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizandola segunda aproximación que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en polarización directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximación, esta segundaaproximación es menos ideal que la anterior, por lo tanto es más exacta, esto es, se parece más al valor que tendría en la práctica ese circuito.

3ª Aproximación
La curva del diodo se aproxima...
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