Diodos semiconductores

NIVERSIDAD VERACRUZAN
FACULTAD DE INGENIERIA Y CIENCIAS QUIMICAS

CARRERA:
Ingeniería Mecánica Eléctrica

MATERIA:
Electrónica Analógica

CATEDRATICO:
M. en E.V Gabriel Juárez Morales

TEMA:
UNIDAD 2: TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION

INTEGRANTES:

Hernández Lara josefina

UNIDAD 2: TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION

2.1 CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

2.2 OPERACIÓN DELTRANSISTOR

2.3 EFECTO AMPLIFICADOR DEL TRANSISTOR

2.4 CONFIGURACION DE TRANSISTORES

2.5 ESPECIFICACIONES TIPICAS DE TRANSISTORES

2.6 CIRCUITOS DE POLARIZACION

UNIDAD 2: TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION
Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con una zona común. En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona común se denomina base y lasdos zonas exteriores en contacto con la base son el emisor y el colector.
El nombre de transistor procede de la condensación de dos vocablos ingleses, transfer y resistor, y hace referencia al hecho de que la corriente que circula entre dos terminales esta controlada por una señal aplicada a la tercer terminal; el término bipolar es debido al hecho de que la corriente es transportada porportadores de ambas polaridades: electrones y huecos.
El transistor bipolar fue descubierto casualmente en diciembre de 1947 por Bardeen, Brattain y shockley en los laboratorios Bell.
2.1CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muycercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
*Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
* Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
* Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, launión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

Un transistor de unión bipolar consiste entres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

Corte transversal simplificado de untransistor de unión bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base...