Diodos

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INSTITUTO TECNOLOGICO DE TUXTLA GUTIERREZ

ALUMNO:
PEDRO ALBERTO NUCAMENDI NANGUELU

MATERIA:
FISICA 4

TRABAJO:
INVESTIGACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES

CATEDRATICO
ROGER EDUARDO CASTELLANOS

CARRERA:
ING. ELECTRONICA

Tuxtla Gutiérrez, Chiapas. 17 de mayo del 2011
DIODOS SEMICONDUCTORES
En esta investigación se pretende realizar una pequeña síntesis de algunos de los tiposde diodos existentes, se tocaran los temas en cuanto a sus características su principio de funcionamiento, sus modos de conexión mas comunes y las aplicaciones de los diodos mas usados en la ingeniería electrónica como el caso del lo diodo Varactor, diodo Zener, diodo Túnel y el diodo rectificador.

Introducción
UNION “P-N”
Imagínese un cristal de silicio cuya mitad izquierda es conductoraP, mientras que la derecha es del tipo N. por consiguiente, la mitad izquierda contiene aceptores fijamente incorporados en el cristal. Estos han entregado electrones que pueden moverse libremente, quedando por ello cargados positivamente.
La zona de transición de un sector del cristal con conducción P a otro de conducción N, del mismo cristal, se denomina unión “PN” esta unión tiene tantaspropiedades útiles que ha propiciado toda clase de inventos, entre ellos se incluyen los diodos, los transistores y los circuitos integrados.
Polarización directa del diodo.
La batería empuja a los huecos y electrones libres hacia la unión. Si la tensión de la batería es menor que la barrera de potencial, los electrones libres no tiene la suficiente energía para atravesar la zona de deplexion.Cuando entran en esta zona, los iones se ven empujados de vuelta a la región n, por lo que no circula corriente atreves del diodo.
Cuando la tensión de la fuente de corriente continua es mayor que la barrera de potencial, la batería de nuevo empuja a huecos y electrones libres hacia la unión. En este caso los electrones libres tienen suficiente energía para atravesar la zona de deflexión yrecombinarse con los huecos. Si se imagina todos los huecos de la región P moviéndose a la derecha y los electrones libres moviéndose hacia la izquierda. Puesto que los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y se crean huecos continuamente en el extremo izquierdo, existe una corriente continua atreves del diodo


Polarización inversa

En este caso, el polo negativode la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

Ensanchamiento de la zona de deplexion
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres. Por lotanto, huecos y electrones libres se alejan de la unión, ensanchando la zona de deplexion.
Cuando lo huecos y los electrones libres se alejan de la unión, los nuevos iones que se crean aumentan la diferencia de potencial en la zona de deplexion.
Cuanto mayor es la zona de deplexion mayor es al diferencia de potencial. La zona de deplexion deja de crecer cuando su diferencia de potencial es iguala la tensión inversa aplicada. Cuando esto ocurre los electrones y los huecos dejan de alejarse de la unión.
Corriente de portadores minoritarios
Existe una pequeña corriente en el caso de la polarización inversa. Recuerde que la energía térmica crea continuamente pares de electrones libres y huecos. Esto quiere decir que existen unos pequeños portadores minoritarios en ambos lados de launión. La mayor parte de ellos se recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hallan dentro de la zona de deplexion pueden vivir el tiempo suficiente como para cruzar la unión. Cuando esto sucede, por el circuito extremo circula una pequeña corriente. “aumentar la tensión no incrementara el numero de portadores minoritarios creados térmicamente”

El diodo semiconductor
Idea básica...
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