Dispositivos Electrónicos

Dispositivos Electrónicos de Potencia.
GTO
Tiristor Desactivado por Compuerta
Gate Turn-off Thyristor

Como un tiristor convencional, el aplicar una señal positiva en la compuerta lleva a conducción al GTO. Sin embargo está diseñado para llevarse a corte mediante la aplicación de una señal negativa de compuerta.Existen dos tipos de GTO: Los asimétricos y los simétricos.
GTO asimétrico
Sonel tipo de GTO más común en el mercado. Se utiliza normalmente con un diodo en conexión antiparalela por lo que no es posible tener una capacidad de bloqueo inversa. La conducción inversa se lleva a cabo mediante la integración de un diodo antiparalelo en la misma capa de silicio.
GTO simétrico
Este tipo de GTO tiene la misma capacidad de bloqueo directa e inversa.
Operación
La inyección deuna corriente de huecos desde la compuerta polariza directamente la unión base P del cátodo causando la emisión desde el cátodo. Estos electrones fluyen hacia el ánodo induciendo una inyección de huecos por el emisor del ánodo. La inyección de huecos y electrones hacia las regiones base continua hasta que los efectos de multiplicación de carga llevan al GTO hacia el estado de conducción. Solo elárea del cátodo adyacente al electrodo de la compuerta es encendido inicialmente, y el área restante se lleva a conducción mediante dispersión de plasma.







RCT
Tiristores de conducción inversa
Reverse Conducting Thyristor


Consiste en la asociación de un tiristor y de un diodo en antiparelelo. Es de uso frecuente en cambiadores de frecuencia e inversores, donde hay presentescargas inductivas, de modo que por el diodo se posibilita el paso de corrientes inversas y se mejora el requisito de desactivación de un circuito de conmutación.
Aunque un SCR normalmente bloquea el paso de la corriente en sentido inverso, al conectar un diodo en antiparalelo se logra obtener conducción.
Puesto que el SCR y el diodo no conducen al mismo tiempo, estos no producen calor enforma simultanea, por lo que es posible tenerlos juntos en un mismo integrado.
SITH
Static Induction Thyristor
Tiristor De Inducción Estática








Este dispositivo tiene alta sensibilidad al proceso de fabricación y pequeñas perturbaciones en su manufactura, producen grandes cambios en sus características.Con la llegada de la tecnología del carburo de silicio (SiC) se ha fabricado unSITH con tensión de bloqueo directo de 300 V.
Funcionamiento:
Encendido. Este dispositivo se enciende con un pulso positivo entre compuerta y cátodo. (Nota: El SITH se enciende con rapidez siempre y cuando el voltaje y la corriente de encendido sean suficientes).
Apagado. El apagado del SITH, se logra aplicando a la compuerta un pulso negativo de voltaje. Esto provoca una capa de agotamiento entorno a la compuerta (p+), creando una barrera de potencial en el canal, que lo hace mas angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el voltaje, aplicado a la compuerta (p+) es suficientemente grande, el canal queda desprovisto de portadores de carga, anulando la corriente entre el ánodo y cátodo, desactivando al SITH.
GATT
Tiristor Desactivado con Asistencia De Compuerta
Gate AssistedTurn-Off Thyristor
LASCR
Rectificador Controlado de Silicio Foto Activado
Light Activated Silicon Controlled Rectifier
Es un dispositivo semiconductor de 4 capas similar al SCR, activado por medio de energía luminosa es decir activado por la luz que incide sobre una de las uniones PN.







Características del LASCR
Voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A.
Lafrecuencia de conmutación es de hasta 2kHz.
Estos tiristores normalmente disponen de conexiones especiales para ser disparados con fibra óptica.
Ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia.
Aplicaciones
Transmisión de CD en alto voltaje (HVDC)
Compensación de potencia reactiva
Relevadores
Control de...