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Tolerancia de los diodos Zener y su variación con la temperatura
La tensión de Zener puede ser controlada en el proceso de fabricación
mediante el ajuste del dopaje. En general la tolerancia típicade Vz es del
5% o 10%, aunque se logran tolerancias de hasta 0.05%.
Cuando la ruptura se produce por efecto Zener la tensión Vz presenta un
coeficiente de variación negativo con la temperatura. Encambio, cuando
predomina el efecto de avalancha Vz tiene un coeficiente positivo de
variación con la temperatura. Los diodos Zener de silicio de 5.6 V son muy
populares, ya que ambos efectos seproducen en simultáneo, compensando
la variación de temperatura.
Diodo Schottky
El diodo Schottky es un diodo que proporciona conmutaciones muy rápidas
entre los estados de conducción directa einversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeños) y que tiene muy bajas tensiones umbral (del orden
de 0.2V).
Fig. 8
El diodo Schottky está constituido por una juntura metal-semiconductor, en
lugar deuna juntura PN. En la Fig. 8 se muestra un diodo Schottky de
aluminio. Debido a efectos cuánticos, la juntura N-Al tiene las propiedades
rectificativas similares a la de una juntura PN, mientras quela juntura N+-Al
se comporta como una juntura óhmica metal-metal. De este modo, si el
cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los
portadores tipo N (electrones móviles)desempeñarán un papel significativo
en la operación del diodo N-Al y no se realizará la recombinación aleatoria y
lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores
normales,con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.
La alta velocidad de conmutación del diodo Schottky permite rectificar
señales de muy altas frecuencias y encuentra una gran variedadde
aplicaciones en circuitos de alta velocidad para comunicaciones y
computadoras.
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Dispositivos Semiconductores
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2do Cuatrimestre de 2012
Diodo Varicap
El Diodo...