El diodo no polarizado

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  • Publicado : 15 de mayo de 2011
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El diodo no polarizado
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa uniónpn tiene unas propiedades muy útiles y entre otras cosas forman los "Diodos".
El átomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrón libre y se puede representar como un signo "+"encerrado en un circulo y con un punto relleno (que sería el electrón) al lado.

El átomo trivalente sería un signo "-" encerrado en un circulo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizaría unhueco).

Entonces la representación de un SC tipo n sería:

Y la de un SC tipo p:

La unión de las regiones p y n será:

Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unión"o "Unión pn".

Zona de deplexión
Al haber una repulsión mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier dirección. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unión,cuando un electrón libre entra en la región p se convierte en un portador minoritario y el electrón cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrón libre se convierte en electrón de valencia.Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, alaumentar los dipolos la región cerca de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexión".

Barrera de potencial
Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo ynegativo, y al entrar los electrones libres en la zona de deplexión, el campo eléctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hastallegar al equilibrio.
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC vale:
 0.3 V para diodos de Ge.
 0.7 V para diodos...
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