II. Introducción Teórica
El FET (Transistor de Efecto de Campo) es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre sí.

Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source)y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe  entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D)  Fuente (S).

Este tipo de transistor se polariza de manera  diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

El FET tienedos modos principales de funcionamiento:
1. Con tensión VDS reducida, y VDS/IDS constante y llamado RDS.
2. Con tensión VDS elevada, mayor que Vp (también denominada VDS (off), e ID casi invariable con el aumento de VDS.

En el primer modo el FET se usa como atenuador o como resistor variable. En el segundo modo el FET se utiliza como amplificador o como fuente de corriente.

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III. Materiales y Equipo

CANTIDAD | DESCRIPCION |
|PC con software Circuit maker |
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IV. Procedimiento

PARTE I. PUNTO DE TRABAJO DE CD
1. Simule el circuito de la figura 1.
2. Ajuste el voltaje de VGS a cero. Varíe VDS para obtener los valores de tensión indicados en la tabla 1. Mida y anote los valores de tensión y de corriente de drenaje ID para cada caso.

Figura 1. El amplificador a transistor

VDS(V)VGS(V) | 0 | 0.10 | 0.25 | 0.5 | 1.0 | 2.0 [continua]

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