Electronica Automotriz

Páginas: 14 (3283 palabras) Publicado: 4 de junio de 2012
ELECTRONICA AUTOMOTRIZ.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor-.- que cumple funciones de amplificador, oscilador,conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los artefactos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras,reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

▪ Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicioo Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP.

▪ La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargaspositivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signocontrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.











▪Fototransistor, sensible a la radiación electromagnética, en frecuencias cercanas a la de la luz.
▪ Transistor de unión unipolar BJT.
▪ Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
▪ Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
▪ Transistor de efecto de campo decompuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
▪ Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

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[pic]                             [pic]
Transistor NPN                              Transistor PNP













Transistor como amplificador.
Circuito y recta de carga
Para que una señal esa amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna.
No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, por que ésta no lleva ninguna información.
En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes (alterna y continua).
La señalalterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operación del amplificador.
Este punto de operación permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada.
En el diagrama se ve que la base del transistor está conectada a dos resistores (R1 y R2).
Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la basedel transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarización de la base.
El punto de operación en corriente continua está sobre una línea de carga dibujada en la familia de curvas del el transistor.
Esta línea está determinada por fórmulas que se muestran.
Hay dos casos extremos:
- Cuando el transistor está en saturación (Ic max.), que significa que Vce es prácticamente 0 voltios y....
- Cuando...
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