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UNIDAD II: TRANSISTORES BIPOLAR
UNIDAD

ELECTRÓNICA I

UNIDAD II: TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

6. ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO
- El modelo híbrido o equivalente del transistor es unmodelo circuital que combina
impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de
híbrido.
- La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace
enbase a la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos.

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6. ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO

Figura 2: Redes de dos puertos

Lasvariables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los
parámetros que relacionan estas variables son los parámetros híbridos, h.

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6.ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO

Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:

Ecuación 1
Ecuación 2

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6.ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO
El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las
variables
• Si vCE=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que:

h11

vBE
iBEste parámetro híbrido se mide en y se conoce como impedancia de
impedancia
entrada a corto circuito, el subíndice 11 en h11 indica que el parámetro
se midió en las terminales de entrada y enconfiguración emisor común de
BJT recibe el nombre de hie.

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6. ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO
De la ecuación 2, se tiene:

h21

iCiB

El cual es un parámetro híbrido sin unidades conocido como la relación de
la
transferencia directa entre la corriente de salida y la corriente de
entrada a corto circuito, el subíndice 21 enh21 indica un parámetro de
transferencia, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el
nombre de hfe.

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