Electronica

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UNIVERSIDAD LA SALLE

IMPARTIDO POR: José Ambrosio Bastián

REPRESENTACIÓN DE UN TRANSISTOR BJT

Materia: Dispositivos Electrónicos

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MODOS DE OPERACIÓN DEL BJT
Debido a que el transistor BJT se encuentra formado por dos uniones pn: 1) la unión entre emisor y base (EBJ) 2) la unión entre colector y base (CBJ)
Según la condición de polarización (directa o inversa) de cada una delas uniones, el transistor opera en alguno de los siguientes modos:

Materia: Dispositivos Electrónicos

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OPERACIÓN DEL TRANSISTOR NPN EN MODO ACTIVO
1) Polarizar las uniones EBJ en directa y la CBJ en inversa 2) La polarización directa en EBJ ocasiona una corriente formada por electrones inyectados del emisor a la base y huecos inyectados de la base al emisor. 3) Un pequeño número deelectrones inyectados del emisor a la base se recombinan con los huecos del material P.
Polarizada directamente
Polarizada inversamente

Electrones Inyectados

Difusión de electrones

Electrones colectados

Huecos inyectados

Electrones recombinados

Materia: Dispositivos Electrónicos

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4) La mayoría de los electrones de difusión pasan a traves de la base para llegar a la uniónentre colector y base CBJ. 5) Debido a la polarización en la CBJ los electrones serán barridos de la región de agotamiento y pasan al colector. 6) Los electrones recolectados que llegan de la base se registran como corriente del colector.
Polarizada directamente
Polarizada inversamente

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR NPN EN MODO ACTIVO



Electrones Inyectados

Difusión de electronesElectrones colectados

Huecos inyectados

Electrones recombinados

Materia: Dispositivos Electrónicos

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OPERACIÓN DEL TRANSISTOR PNP EN MODO ACTIVO
1) Polarizar las uniones EBJ en directa y la CBJ en inversa 2) La polarización directa en EBJ ocasiona una corriente formada por huecos inyectados del emisor a la base y electrones inyectados de la base al emisor. 3) Un pequeño número de huecosinyectados del emisor a la base se recombinan con los electrones del material N.
Polarizada directamente Polarizada inversamente

Huecos Inyectados

Difusión de huecos

Huecos colectados

Electrones inyectados

Huecos recombinados

Materia: Dispositivos Electrónicos

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OPERACIÓN DEL TRANSISTOR PNP EN MODO ACTIVO
4) La mayoría de los huecos de difusión pasan a traves de la basepara llegar a la unión entre colector y base CBJ. 5) Debido a la polarización en la CBJ los huecos serán atraídos de la región de agotamiento y pasan al colector. 6) Los huecos recolectados que llegan de la base se registran como corriente del colector.
Polarizada directamente Polarizada inversamente

Huecos Inyectados

Difusión de huecos

Huecos colectados



Electrones inyectadosHuecos recombinados

Materia: Dispositivos Electrónicos

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SIMBOLOS DE LOS TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR

Materia: Dispositivos Electrónicos

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RELACIÓN DE CORRIENTES
• Por ley de corrientes de Kirchhoff tenemos:

I E  IC  I B IC  I E

• La corriente de colector se puede aproximar por:
• Para un transistor en modo activo se cumple que:

I B  I E
• ALFA (Ganancia decorriente de emisor común)

 DC

IC  IE IC  IB

• BETA (Ganancia de corriente de base común)

 DC

Materia: Dispositivos Electrónicos

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CONEXIÓN EN EMISOR COMÚN
Circuito de la base

VBB es la fuente de tensión de la base. VCC es la fuente de tensión del colector. Circuito del VBE es la tensión entre los puntos colector de la base y emisor. VCE es la tensión entre los puntosdel colector y emisor.

VCE  VC  VE VCB  VC  VB VBE  VB  VE
Materia: Dispositivos Electrónicos

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CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA
• Debido a que es un diodo la unión Base-Emisor la curva característica de entrada es la de un diodo.
IB IB

Circuito de la base

VBE

• Por ley de ohm, determinamos la IB del circuito de base

VBB  I B RB  VBE  0

por lo tanto

VBB ...
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