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PAR DIFERNCIAL CON CARGA ACTIVA

* OBJETIVOS
* Realizar el Ánalisis de un par diferencial con carga activa
* Diseñar y simular par diferencial con carga activa, maximizando DRout, DRin, CMRR y minimizan PD.
* Realizar el Análisis y diseño de una fuente de corriente
* Obtener las curvas características Vout vs Vin
*
1. Trabajo Previo
Se diseño el espejo decorriente, que se observa en la figura 1 en el cual se encuentra el valor de la resistencia, R2 para obtener una corriente de 500μA para obtener el valor de R se realiza la malla de la ecuación (1)Iref*R2+ VGS3- V3=0 ec.1

Conociendo el valor de Iref se halla el valor de VGS3 por medio de la ecuacion (2) de saturación debido a la conexión como diodo el VDS= VGS3

Iref= 12KnWLVGS3- Vt 21- λVGS3 ec.2

Con los parámetros del modelo ya establecido para el CD4007 como son los parámetros, ecuaciones 3 y 4

KnWL=725μAv2 ec.3

λ=0.0132 v-1 ec.4Obtenemos

VGS3= -2.5 ec.5

Despejando de la ec.1 R2 obtenemos

R2 ≈15 kΩ ec.6

Como se observa en la figura 1

VG=-7,5145v ec.7

0,5*10-3=0,0007252-7,5145+10-1.421+0,0132*VD4+10 ec.8

Resolviendo obtenemos

VD4=VS1=VS2=-7,5207v ec.9

ID1,2=Kn2wlVGS-Vt21+λ*VDS ec.10

ID1=0,25E*10-3= 0,0007252VG1+7,5207-1.421+0,0136464*VG+7,5207 ec.11ID2=0,25E*10-3= 0,0007252VG2+7,5207-1.421+0,0136464*VD+7,5207 ec.12

ID5=0,25E*10-3= 0,00624210-VG3,4-1.421+0,0756*VG3,4+10 ec.13

ID6=0,25E*10-3=0,0011877210-VG3,4-1.421+0,0756*VD2+10 ec.14

VG3=VD5=VD1=8,5v VD3=VD2=8,5v VG1=-5,4v VG2=-5,4v ec.15

SATURACION NMOS VGS≥VTyVGD≤VT

1. VGS≥VT → VG-(-7,5207)≥1,4 →VG+7,5207≥1,4

→ VCM+7,5207≥1,4 → VCMmin=1,4-7,5207=-6,1207

2. VGD≤VT → VG-8,5≤1,4 → VCM-8,5≤1,4 → VCMmax=1,4+8,5=9,9

∆Vd=-gm*RD=-2*IDVOVrO=-2*ID0,72071λ*ID=-20,7207*0,0756...
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