Electronica

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Electrónica

Constitución de la materia:

El silicio y el germanio son la base de todos circuitos electrónicos y existen diversos métodos de fabricación.

La orbita de valencia de un átomoes la que determina su comportamiento, es decir, si pertenece al grupo de los conductores, aislantes ó semiconductores.

• Si el átomo tiene 1 ó 2 e- en su orbita de valencia será unconductor.

• Si el átomo tiene 3 a 4 e- en su orbita de valencia será un semiconductor.

• Si el átomo tiene 6, 7 u 8 e- en su orbita de valencia será un aislante.

Elementos con 3, 4, y 5e- en su orbita de valencia.

3 e- {Boro, Galio, Indio.

4 e- {Germanio y Silicio.

5 e-{Fosforo, Antimonio y Arsénico.

Intrínsecos Puros y monocristalinos.

Semiconductores

Extrínsecos

DIODO

Impureza: Son átomos de los elementos químicos III (Br, Al, Ga, In) y del grupo IV (P, Sb, As) que se añade a un semiconductor intrínsecopara volverlo extrínseco. Es un semiconductor dopado o contaminado.

S. C. Semiconductor P P.M. S. C. Extrínsecos Tipo N

Unión P-N (Diodo semiconductor normal). Proceso de unión o juntura.1. Se produce una recombinación de portadores mayoritarios.

Cuando un átomo gana un electrón se convierte en un ión-

Cuando un átomo pierde o sede un electrón se convierte en un ión+P N

2. Se crean paredes de iones que forman un campo eléctrico interno llamado potencial de barrera o barrera de potencial.P N

3. Aparece una zona sin portadores mayoritarios denominada zona de transición o de agotamiento.

ZT

Representacióna bloques. Símbolo Electrónico

Ánodo Cátodo [pic]

Polarizaciones...
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