Electronica

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

Introducción
En 1947, Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley, científicos de la “Bell Telephone Laboratories”, iniciaron una revolución enla electrónica con la invención del transistor. En 1956 recibieron el premio Nobel de Física por su trabajo.

Tipos
El transistor es un dispositivo electrónico de estado sólido de gran uso tanto enla electrónica analógica (amplificador, interruptor de potencia) como en la digital (conmutador). Hay distintos tipos: BJT= Bipolar Junction Transistor (Transistor de unión o bipolar) JFET=JunctionField Effect Transistor (Transistor de efecto de campo) MOSFET= Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Otros

Transistor de Unión Bipolar
El transistor es un dispositivo semiconductor de3 capas:
Emisor Base Colector Emisor Base Colector

P

N

P

N

P

N

Símbolos

Composición
La capa del Emisor está muy dopada, la de la base tiene un dopaje intermedio, mientrasque el Colector posee un dopaje muy bajo (10:1) El espesor del Emisor y Colector es mucho mayor que el de la Base (150:1)

Operación del transistor
P Emisor N Base P Colector

Operación deltransistor

Movimiento de cargas en el transistor
(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IE

IpB InB IBB IB InC

IC

I E = I C+ IB

Tensiones y corrientes en el transistor
Se consideran trescorrientes principales: IE = corriente de emisor IB = corriente de base IC = corriente de colector
Emisor Base Colector

IE P VEB N IB P

IC VBC

Y tres voltajes: VBE, VCB y VCE

VCE + VEB +VBC = 0

Configuraciones del transistor
Al analizar el transistor hay 4 variables importantes, que dependen el tipo de conexión: Vsalida, V entrada, I salida, I entrada. E C B C B E

E B

CBase común Variables: VBE, VCB, IE, IC

Emisor común Variables: VBE, VCE, IB, IC

Colector común Variables: VCB, VCE, IB, IE

Características de un transistor de silicio (configuración de...