Electronica

Modelaje de
transistores
bipolares
En el capítulo 3 se presentaron aspectos como la construcción básica, la apariencia y las
características del transistor. En el capítulo 4 se examinó condetalle la polarización de de. En
este apartado se examinará la respuesta de ac en pequeña señal del amplificador a BJT mediante
la revisión de los modelos que se utilizan con más frecuencia pararepresentar al transistor en el
dominio senoidal en ac.
Uno de los primeros intereses en el análisis senoidal en ac de las redes de transistores es la
magnitud de la señal de entrada, porque éstadetenninará si deben aplicarse las técnicas de
pequeña señalo de gran señal. No existe una línea divisoria entre ambas, pero la aplicación y
la magnitud de las variables de interés relacionadas con lasescalas de las características del
dispositivo, por lo general, establecen con claridad cuál método es el adecuado, La técnica de
pequeña señal se presenta en este capítulo y las aplicaciones de granseñal se examinan en el
capítulo 16.
Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el análisis en ac de pequeña señal
~
de redes de transistores: el modelo re y el equivalente hlbrido, Estecapítulo presenta no sólo
ambos modelos, sino que define el papel de cada uno y la relación que hay entre ambos.
7.2 AMPUFlCACIÓN EN EL DOMINIO DE AC
En el capítulo 3 se demostró que se puedeutilizar el transistor como un dispositivo amplificador.
Esto es, la señal senoidal de salida es mayor que la señal de entrada o, dicho de otra manera, la
potencia en ac de la salida es mayor que lapotencia en ac de entrada. Luego surge la pregunta
sobre la manera en que la potencia en ac de salida puede ser mayor que la potencia en ac de entrada.
La conservación de la energía establece que a travésdel tiempo la potencia total de
salida, Po' de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada, P;, y que la eficiencia
definida como r¡ = PJP; no puede ser mayor que 1. El factor que...