Electrónica Mosfet

Regiones operativas del transistor
- Región de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector = la corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación delcircuito.
Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuandola corriente de base = 0 (Ib = 0)
- Región de saturación: Un transistor está saturado cuando la corriente de colector = lacorriente de emisor = la corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver L a ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuandola corriente de base es lo suficientemente grande como parainducir una corriente de colector ß veces más grande. (recordar que Ic = ß * Ib)
- Región activa: Cuando untransistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa.
En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), deß (ganancia de corriente de unamplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor).
Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como unamplificador.
Configuraciones del transistor bipolar
Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas concaracterísticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
- Amplificador emisor común
- Amplificador colector común
- Amplificador base común
Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la pequeñadiferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar_regiones_operativas_configuraciones.asp

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente enun MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta.
Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidadde corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar.
Cuando se aplica una tensiónnegativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través delcanal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente.
Laamplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y elsemiconductor, no hay corrientepor la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, nola del flujo de electrones.

http://www.unicrom.com/tut_MOSFET_operacion.asp

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