ELEMENTOS DE JUNTURA

ELEMENTOS DE JUNTURA
POR:
DAVID RIVADENEIRA
CARLOS RUALES

Existen materiales conductores y dieléctricos (aislantes)
que permiten o no el paso de las cargas eléctricas a través de
ellos, al aplicar una diferencia de potencial en sus extremos.
Los elementos de juntura se encuentran fabricados en
semiconductores (Si o Ge),  los mismos que se comportan
como conductores y como dieléctricos según elvoltaje que se
aplique a sus extremos.
Las razones por las cuales ocupan estos materiales son:

• Al añadir impurezas a este material

puro se cambia
significativamente sus propiedades eléctricas.

• Sus propiedades eléctricas cambian según la temperatura o
si son expuestas a la luz.

EL DIODO SEMICONDUCTOR
La palabra Diodo proviene de las palabras DI = dos y ODO =
Electrodo, es decir, elementode dos terminales. Al terminal
conectado al lado P del diodo recibe el nombre de Ánodo y al
terminal conectado al lado N del diodo recibe el nombre de
Cátodo y a la unión de los dos materiales se denomina
Juntura.

Al saltar el electrón desde el lado N genera un huecos en dicho
lugar y por lo tanto se puede considerar que se produce un
movimiento de electrones desde el lado N al lado P y tambiénse
produce un movimiento de huecos desde el lado P al lado N.
Este proceso se llama Difusión.

Como esto sucede cerca de la juntura se denomina a éste sector
zona de agotamiento. Los iones en la capa de agotamiento van
dejando cada vez más cargada la zona desierta, la cual actúa
como una barrera que impide que nuevos electrones sigan
cruzando la juntura puesto que deben primero saltar la barrera
deiones negativos que se encuentran en el lado P.

La barrera de potencial genera una diferencia de potencial
(0,7Volt) si el semiconductor es de Silicio y de (0,3 Volt) si el
semiconductor es de Germanio.
Polarización Directa:
Los electrones libres del lado N del diodo, están sujetos a dos
fuerzas de repulsión. Hacia la izquierda por el terminal
negativo de la batería y hacia la derecha productode la barrea
de potencial.

Polarización inversa:

La fuerza eléctrica obliga a los electrones libres del lado N a
trasladarse hacia el terminal positivo de la batería, esto
implica, que en la juntura estará cada vez más ausente de
electrones, es decir, la zona desierta se ensancha y la barrera
de potencial tendrá cada vez mas iones, es decir esta barrera
aumentará.

Se puede decir que laconducción de corriente se realiza solamente
en polarización directa. En efecto, para probar el estado de un
diodo, se utiliza un multitester en posición de impedancia (Ohms),
de manera tal que en polarización inversa se produce una
impedancia equivalente a circuito abierto, en cambio en
polarización directa si define una impedancia.
Hoy en día, los multitester digitales tienen una posición de prueba
dediodo, de manera tal en dicha posición entrega un valor relativo
a la impedancia o voltaje del diodo, así, en polarización directa su
impedancia o voltaje es menor que en polarización directa.
Cuando el diodo está en mal estado, la indicación del multitester
entregará el mismo valor sin importar la posición de los terminales.

DIODOS ZENER

Se puede tener corriente con polarización inversa sinque el
diodo se queme hasta un voltaje inverso de avalancha
denominado también voltaje zener.
La particularidad de estos diodos zener es que su voltaje es
muy estable y son usados principalmente como reguladores
referenciales de voltajes.

DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDS):

El LED es un dispositivo de unión PN que cuando se polariza
directamente emite luz. Al aplicarse una tensión directa a la
unión,se inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa
N. Como resultado de ello, ambas capas tienen una mayor
concentración de portadores (electrones y huecos) que la
existente en equilibrio. Debido a esto, se produce una
recombinación de portadores, liberándose en dicha
recombinación la energía que les ha sido comunicada
mediante la aplicación deElement
la tensión
directa.
Longitud de...