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Diapositiva 1
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Estructura cristalina de un semiconductor. Electrones y huecos.
n n

Estructura de enlaces covalentesCristal tetraédrico con un átomo en cada vértice

Hueco

T= 0ºK

T> 0ºK

Diapositiva 2
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Semiconductoresintrínsecos: estructura cristalina de un solo tipo de átomos
n n

Característica: n = p = ni Par electrón-hueco
w Generación (agitación térmica) w Recombinación (centros de recombinación)

Diapositiva 3FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Procesos de generación y Procesos de generación y recombinación. recombinación.
Vida media de los portadores Vida mediade los portadores n Naturaleza de los centros de n Naturaleza de los centros de recombinación recombinación n Efectos de los centros de recombinación n Efectos de los centros de recombinación
n n Diapositiva 4
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Mecanismo de contribución del hueco a la conducción.
n

Los electrones de valencia ligados “saltan”,con relativa facilidad, al hueco dejado por otro electrón al pasar a su estado libre

Diapositiva 5
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORESAplicación de un campo eléctrico a un semiconductor intrínseco
n

Densidad de corriente Conductividad

J =σ ×E

n

σ = qni ( µ n + µ p )

Diapositiva 6
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOSELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ejercicio 1 . Una muestra de germanio intrínseco de 1 cm de longitud y 2 x 2 mm de sección cuadrada, es atravesada por una corriente de 6 mA cuando se aplicauna diferencia de tensión entre sus extremos de 1 V. La movilidad de los electrones es de 3.800 cm2 /V.s y de los huecos 1.800 cm2/V.s. Calcular: a) b) la densidad electrónica Las velocidades de...
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