Estudio

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CONTENIDO DETALLADO: • Diodos y aplicaciones con diodos. 1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal. 1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P. 1.3 Curvas características (ideal, real y aproximadas) de un diodo. 1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones. 1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos. 1.6 Comportamiento de CC de un diodo.1.7 El rectificador de media onda. 1.8 El rectificador de onda completa. 1.9 Recortadores y sujetadores. 1.10 Multiplicadores de voltaje. • El transistor de unión bipolar (BJT). 2.1 Introducción al BJT y principios de construcción. 2.2 Configuración de base común. 2.3 Configuración de emisor común. 2.4 Configuración de colector común. 2.5 Límites de operación del transistor. 2.6 Hoja deespecificaciones del transistor. • Polarización de CD del BJT. 3.1 Punto de operación o punto Quiescente. 3.2 Circuito de polarización fija. 3.3 Circuito de polarización estabilizada de emisor. 3.4 Polarización con divisor de voltaje. 3.5 Diversas configuraciones de polarización.

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3.6 Conmutación con transistores. 3.7 El transistor PNP • Modelado del transistor BJT. 4.1 Amplificador en el dominiode CA. 4.2 Modelado del transistor BJT. 4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos). 4.4 El modelo re del transistor. 4.5 El modelo equivalente híbrido. • Análisis de pequeña señal del BJT. 5.1 Polarización por divisor de voltaje. 5.2 Configuración de polarización de emisor para emisor común. 5.3 Configuración de emisor seguidor. Apéndice al capítulo 5 •Transistor de efecto de campo (FET). 6.1 Introducción al transistor de efecto de campo. 6.2 Construcción y características de los JFET. 6.3 Características de transferencia. • Polarización de CD del FET. 7.1 Configuración de polarización fija. 7.2 Configuración de autopolarización. 1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal.

Las décadas que siguieron a la introducción del transistor en los añoscuarenta han atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La miniaturización que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus límites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el más sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en comparación con las redes con tubos de losaños anteriores son , en su mayor parte, obvias: más pequeños y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen pérdidas térmicas (lo que sí sucede en el caso de los tubos), una construcción más resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.

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La miniaturización de los últimos años ha producido sistemas semiconductores tan pequeños que el propósito principal de su encapsulado esproporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los límites de la miniaturización: la calidad del propio material semiconductor, la técnica del diseño de la red y los límites del equipo de manufactura y procesamiento. El primer dispositivo electrónico quese presentará se denomina diodo. Es el más sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempeña un papel vital en los sistemas electrónicos, con sus características que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrará en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de su construcción ycaracterísticas, los datos y gráficas muy importantes que se encontrarán en las hojas de especificaciones también se estudiarán para asegurar el entendimiento de la terminología empleada y para poner de manifiesto la abundancia de información de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes. Antes de examinar la construcción y características de un dispositivo real, consideremos...
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