Examen Diodo B Respuestas 2

1. Explica cómo se dopa un material tipo N (un punto)
Se parte de un semiconductor intrínseco, que es un semiconductor químicamente puro y puede ser de Silicio o de Germanio que tienen 4 electroneslibres en su órbita de valencia, éste material se dopa, es decir se le agregan impurezas deliberadamente con el fin de modificar su conductividad eléctrica, convirtiéndolo en un material extrínseco;para generar un semiconductor tipo N, es decir con exceso de electrones, se dopa con impurezas pentavalentes (donadores), como pueden ser el Arsénico (AS), Antimonio (Sb), Fósforo(P); en estedopamiento los portadores mayoritarios son los electrones, ya que superan a los huecos los cuales son los portadores minoritarios.
2. Explicar el funcionamiento de un diodo rectificador polarizado en sentidodirecto (un punto)
Cuando se juntan los semiconductores tipo P y tipo N, forman lo que se conoce como diodo semiconductor, justo en la frontera de los dos materiales se forma la unión PN y en esaunión se forma una área conocida como zona de Deplexión, que es una barrera de potencial equivalente a 0.3V cuando es material es Ge y de 0.7V cuando se usa Si; para polarizar en sentido directo estaunión se conecta el potencial positivo de la fuente en el material P y el potencial negativo en el material N, en ésta condición, si la tensión de la batería es menor a la barrera de potencial, loselectrones no tienen la suficiente energía para atravesar la zona de Deplexión y no se genera ningún flujo de corriente a través del diodo, cuando la fuente de alimentación es mayor a la barrera depotencial, los huecos y los electrones son empujados hacia la unión PN recombinándose con los electrones libres y los huecos libres generando un flujo de corriente a través del diodo.

3. Dibujar elsímbolo del diodo rectificador y su curva característica (un punto)
4. Dibujar el símbolo del diodo Zener y su curva característica (un punto)



5. Indique una aplicación del diodo ZENER (un punto...