Experimento de schockley - haynes

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INTRODUCCION

El experimento de Haynes-Shockley es uno de los experimentos básicos en la teoría de los semiconductores.

El experimento de Haynes-Shockley fue interpretada por primera vez en 1951 como una ilustración de la compañía de transporte de las minorías. It used Antes era un campo eléctrico, que contiene alineada una barra alargada de sección transversal constante, integrado por lossemiconductores de material tipo nmaterial, capped at each end with a region of p-type materi, limitado a cada extremo con una región de material tipo p. The junction so formed at one end (the “emitter”) was La unión formada de esta manera en un extremo (“el emisor”) seforward-biased with either a constant or pulsed voltage, thereby injecting minority carriers (holes) to the n-material, polariza yasea mediante impulsos o a través de tensión constante, con lo que inyectan portadores minoritarios (huecos) a la material - n, where they were swept along under influence of the field. donde han sido arrastrados bajo la influencia del campo. The mobile carriers were extracted and sensed at the other Los transportadores móviles se extraen y se perciben en el extremo finalend (the “collector”).(“el colector").

A similar setup has been used to find, by experimental method, the minority carrier drift mobility and diffusion Una configuración similar ha sido utilizada para encontrar, mediante el método experimental, la movilidad de los portadores minoritarios de deriva y la difusión coefficient of a doped semiconductor. coeficiente de un semiconductor dopado.

The arrangement has also foundvariations popular in lab and demonstration courses.El acuerdo también ha encontrado variantes populares en el laboratorio y los cursos de demostración. The source of charge carriers La fuente de portadores de cargacould be electrical, optical, or thermal excitation. podrían ser eléctricas, ópticas, térmicas o de excitación. With a long bar, sufficient charge injection, and proper detection, Conuna larga barra, la inyección de suficiente carga, y la detección adecuada,the two primary modes of semiconductor carrier transport – drift and diffusion – are separable. los dos modos principales de la compañía de transporte de los semiconductores - la deriva y difusión - son separables. The basic elements Los elementos básicos de procedencia, ruta, campo y el detector se puede implementar enhardware o modelada con herramientas de software.

EXPERIMENTO DE SHOCKLEY – HAYNES
EL EXPERIMENTO DE SHOCKLEY – HAYNES DE 1951

Este es el experimento clásico de la física de semiconductores realizado por Haynes y Shockley en 1951 para demostrar la deriva y mecanismos de difusión de los portadores minoritarios en el material semiconductor. Este experimento permite la medición independiente dela movilidad, el tiempo de vida y coeficiente de difusión de portadores minoritarios.

La configuración básica experimental para este experimento es la siguiente:

Arreglo experimental para Haynes - experimento Shockley
Una tensión V1 se aplica a través de la barra de los semiconductores de tipo-n para establecer el campo eléctrico en el bar situado en la dirección x. El exceso de portadoresminoritarios se inyecta en la barra de semiconductores del punto 1, ya sea por pulso de luz o de un generador de pulso. Una fracción de los portadores en exceso se recogerá en el punto 2, puesto que la deriva a través del semiconductor en presencia del campo se extiende por la difusión. El tiempo requerido para los agujeros de los portadores minoritarios a la deriva de una distancia determinada enpresencia del campo, mide la movilidad de la compañía y la propagación del pulso durante un tiempo determinado; y éste se utiliza para calcular el coeficiente de difusión. Es preciso considerar un semiconductor de tipo n para los: n0 >> p0; y un pulso de portadores en exceso es creado por un destello de luz en algún punto x = 0 en la barra de la muestra siguiente:

Un pulso de la generación...
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