EXPO POTENCIA

Estado actual de ancho de banda prohibida (GBM) la tecnología de materiales semiconductores se evalúa para el desarrollo de la electrónica de alto rendimiento y potencia fiable conmutación deconvertidores. El estudio tiene en cuenta la fiabilidad de campo de la energía del silicio de metal-óxido-semiconductor transistores de efecto campo (MOSFETs) en fuentes de alimentación compactasinformática / telecomunicaciones donde se encontraron defectos de materiales residuales presentes en la región de carga espacial de silicio para generar microplasma local que finalmente causó MOSFET de potenciafallen en condiciones de campo de conmutación repetitivas de largo plazo. Se muestra que los MOSFET de potencia de silicio con un aumento de las corrientes de fuga de bajo nivel son más propensos alas fallas en el campo de las fuentes de alimentación de alta densidad. Se propone una nueva metodología de las pruebas de estrés de un solo evento de burnout (SEB), los resultados de las pruebas deestrés SEB se muestran una buena correlación con silicio fracasos MOSFET de potencia en circuitos de alimentación. Sobre la base de estos resultados y el estado actual de la técnica de carburo de silicio(SiC) y nitruro de galio (GaN) dispositivos de energía, una "fiabilidad impulsado" Se recomienda el enfoque de fabricación para una rápida comercialización y penetración en el mercado de losdispositivos semiconductores de potencia del GBM.

GBM dispositivos semiconductores de potencia podría revolucionar el mercado de conversión de energía global, debido a más convertidores electrónicoscompactos y mayores eficiencias operativas .A nivel del sistema , pueden operar a temperaturas más altas de unión con una mayor eficiencia energética , y que ofrecen significativamente menor resistenciaespecífica en el estado para la misma tensión de bloqueo de la capacidad . Además , prometen densidades de energía y enfriamiento mucho más altas que se pueden conseguir con dispositivos de potencia de...