Familias lógicas "mos y cmos"
Páginas: 4 (885 palabras)
Publicado: 19 de junio de 2011
NOMBRE DEL TRABAJO:
FAMILIA LOGICA “MOS” Y “CMOS”
MOS (metal-oxido-semiconductor)
El transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) es un transistor unipolar, ya que sufuncionamiento depende del flujo de un solo tipo de portador. Hay dos tipos de transistores de efecto de campo: el transistor de efecto de campo de unión (JFET, junction FET) y elmetal-oxido-semiconductor. El primero se usa en circuitos lineales, y el segundo, en circuitos digitales. Los transistores MOS se pueden fabricar en un área más reducida que los bipolares.
La estructura básica deltransistor MOS se presenta en la figura 10-19. El MOS de canal p consiste en un sustrato levemente impurificado de silicio tipo n. Dos regiones se impurifican intensamente por difusión de impurezas tipo ppara formar la fuente y el drenaje. La región entre las dos secciones tipo p actúa como canal. La compuerta es una placa de metal separada por del canal por un dieléctrico aislado de dióxido desilicio.
La figura 10-20 ilustra los símbolos gráficos para los transistores MOS. El símbolo para el transistor de enriquecimiento tiene una conexión de línea interrumpida entre la fuente y eldrenaje. En este símbolo puede identificarse el sustrato y se le muestra conectado a la fuente. Un símbolo alterno omite el sustrato y coloca una flecha en la terminal de la fuente para indicar ladirección del flujo de corriente positiva (la de la fuente al drenaje en el canal p y del drenaje a la fuente en el canal n).
Una ventaja del dispositivo MOS es que se le puede usar como transistor ytambién como resistor. Se obtiene un resistor del MOS polarizando de forma permanente la terminal de compuerta para que conduzca. Entonces. la razón del voltaje fuente-drenaje entre la comente de canaldetermina el valor de la resistencia. Es factible construir resistores con diferentes valores fijando durante la fabricación la longitud y anchura del canal del dispositivo MOS.
CMOS
* El...
FAMILIA LOGICA “MOS” Y “CMOS”
MOS (metal-oxido-semiconductor)
El transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) es un transistor unipolar, ya que sufuncionamiento depende del flujo de un solo tipo de portador. Hay dos tipos de transistores de efecto de campo: el transistor de efecto de campo de unión (JFET, junction FET) y elmetal-oxido-semiconductor. El primero se usa en circuitos lineales, y el segundo, en circuitos digitales. Los transistores MOS se pueden fabricar en un área más reducida que los bipolares.
La estructura básica deltransistor MOS se presenta en la figura 10-19. El MOS de canal p consiste en un sustrato levemente impurificado de silicio tipo n. Dos regiones se impurifican intensamente por difusión de impurezas tipo ppara formar la fuente y el drenaje. La región entre las dos secciones tipo p actúa como canal. La compuerta es una placa de metal separada por del canal por un dieléctrico aislado de dióxido desilicio.
La figura 10-20 ilustra los símbolos gráficos para los transistores MOS. El símbolo para el transistor de enriquecimiento tiene una conexión de línea interrumpida entre la fuente y eldrenaje. En este símbolo puede identificarse el sustrato y se le muestra conectado a la fuente. Un símbolo alterno omite el sustrato y coloca una flecha en la terminal de la fuente para indicar ladirección del flujo de corriente positiva (la de la fuente al drenaje en el canal p y del drenaje a la fuente en el canal n).
Una ventaja del dispositivo MOS es que se le puede usar como transistor ytambién como resistor. Se obtiene un resistor del MOS polarizando de forma permanente la terminal de compuerta para que conduzca. Entonces. la razón del voltaje fuente-drenaje entre la comente de canaldetermina el valor de la resistencia. Es factible construir resistores con diferentes valores fijando durante la fabricación la longitud y anchura del canal del dispositivo MOS.
CMOS
* El...
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