Fisica libro sears

Universidad Nacional Autónoma de México

Facultad de Estudios Superiores:
Plantel Aragón

Numero de trabajo:
“02”

Materia:
“DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS LAB”

CUESTIONARIO PRELIMINAR 3

Profesor:
LUNA ESCORZA PROCORO PABLO

Alumnos:
Sánchez Reyes Uriel
Tapia Guzmán Daniel Michel

Fecha:

04/Septiembre/2012

1.- Investigue cuales son los diferentes tipos de diodos queexisten, mencione sus nombres, características y aplicaciones.
* Diodos de vacío: También conocidos como válvulas de vacío o tubos de vacío, aprovecha para su función la propiedad que tienen algunos materiales de producir una emisión de electrones, cuando son sometidos a una temperatura próxima a la incandescencia.La emisión de electrones del cátodo se recoge en una lámina conductora que envuelvea este elemento y separada a una cierta distancia, denominada ánodo o placa.
* Diodos semiconductores:Presentan un comportamiento análogo ante la corriente eléctrica. Están compuestos por dos zonas de material semiconductor (silicio, germanio), formando lo que se denomina una unión P-N. Para ello el material de la zona P esta tratado química y térmicamente con objeto de difundir sobre el otrocuyos átomos tengan una escases o defecto de electrones; al material de la zona N se le agrega otro que presenta un exceso de electrones , empleando el mismo procedimiento quedando ambos en contacto físico o eléctrico.
Entre las dos partes de la unión P-N y en la zona de contacto entre ambas, se produce una región denominada de transición, donde se genera una pequeña diferencia de potencial, deforma que la zona N queda a una tensión mas alta que la P, con lo que no puede efectuarse ningún paso de electrones de una a la otra. Lógicamente, si la tensión externa se aplica en sentido contrario, con el positivo a la zona N y el negativo a la zona P, a la pequeña tensión que exista entre ellas se le sumara la exterior y no se producirá ninguna circulación de corriente.
* Diodorectificador: Están concebidos especialmente para esta aplicación, aunque los tipos de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación de en circuitos de continua o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidades muy altas.
El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea elplástico hasta un límite alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metálico y con potencias mas altas.
* Diodos de señal: se emplean en funciones de tratamiento de la señal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital, formando parte de compuertas lógicas y circuitos equivalentes. Son de baja potencia.
* Diodos de conmutación: Secaracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o “lógico” que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica acumulada, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a laacumulación de carga de un condensador) y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo.
* Diodos de Alta Frecuencia: Se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 MHz. Presentan una baja capacidad entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N, cuando estas están polarizadas en sentido directo.* Diodos especiales: Dentro de este grupo de diodos están comprendidos los diodos varicap, diodos túnel y diodos LED. Los primeros se construyen bscando acentuar al máximo la propiedad que presenta la unión P-N de comportarse de una forma análoga a un condensador cuando se polariza inversamente.
La capacidad resultante es, además, variable con la tensión aplicada, lo cual permite disponer de...