Formulario Para Hallar La Regulacion En Maquinas

1. El símbolo de este dispositivo, indicando los tipos de IGBT con sus respectivas corrientes y voltajes que tiene.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de lostransistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar comointerruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

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El IGBT está construidode forma casi idéntica al MOSFET. La capa epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopadaTipo P en lugar de Tipo N. La unión PN adicional, así creada, inyecta portadores (huecos) en la región epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la caída de tensión en conducción.2. Circuito equivalente a base de FET y de BJT.
FET:

BJT:

3. Funcionamiento del dispositivo, con sus respectivas curvas características de entrada y de salida.
Cuando se le es aplicado un voltajeVGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo deencendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG quees aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente decolector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de...