Fotodiodos
Julian Andres Zemanate Espinel
Universidad Autónoma de Occidente, Cali, Colombia
Julianz.e.125@hotmail.com
Abstract- Con este trabajo se hizo énfasis en el estudio de un tipo de diodo llamado fotodiodo, en el cual se estableció su composición, los tipos el funcionamiento y las aplicaciones que este elemento puede tener, además se anexo una hoja de datos correspondiente a un fotodiodo .
I. CONSTITUCION
Los fotodiodos están fabricados de materiales semiconductores yson uniones PN específicamente diseñadas para detectar la luz a través de una cobertura cristalina y a veces en forma de lente; el material que se emplea en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades, los fotodiodos esta construidos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1.1 µm), de germanio para la luz infrarroja (longitud de onda hasta aproximadamente 1,8 µm) y los hay de otros materiales semiconductores como el indio, galio,arsénico (longitud de onda entre 800 – 2600 nm) y sulfuro de plomo (longitud de onda entre 1000 y 3500 nm). Existen cuatro tipos de fotodiodos, los fotodiodos PN, los fotodiodos PIN a los cuales se le agrega una zona no dopada o intrínseca en la zona de deplexión, los fotodiodos APD que se polarizan fuertemente en inversa y los fotodiodos Schottky que constan de la unión de un metal y un semiconductor.

Fig. 1. Símbolo usado para el fotodiodo tomada dehttp://www.if.ufrgs.br/mpef/mef004/20061/Cesar/SENSORES-Fotodiodo.html
II. CARACTERISTICAS
Las características principales de los fotodiodos son su forma de conexión, estos se deben polarizar de manera inversa, para que al ser influido por un haz de luz se genere una corriente en inversa, a mayor intensidad de luz mayor será la corriente; los fotodiodos son más rápidos que las fotorresistencias, es decir, tiene un tiempo de respuesta más pequeño, sin embargo solo pueden conducir en una polarización directa corrientes [continua]

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