Homero

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Configuración de Base Común

Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de corrienteharán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base común se requiere de dos conjuntosde características, uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (IE). el conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés: la regiones activa, de corte y de saturación. La región activa es la que suele utilizarsepara los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor - base se polariza directamente.
La región activa se define mediante los arreglos de polarización. En el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y sedebe a la corriente de saturación inversa ICO,
La corriente ICO real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración de base común. La notación que con más frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, ICBO.
Debido a las mejoras en las técnicas defabricación, el nivel de ICBO para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, así como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puedeconvertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de un transistor tienen polarización inversa.
En la región de saturación, tanto la unión como la emisor - base están en polarización directa.

Configuración de Colector Común

La configuración de colector común seutiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común.
Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común. Desde un punto devista de diseño, no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros del circuito. Puede diseñarse utilizando las características de salida para la configuración de colector común son la mismas que para la configuración de emisor común.

Configuración Emisor Común

La configuración de transistor que se encuentra más a menudo para los transistores pnp ynpn. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es común tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez más, se necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o...
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