Implementacion de memorias de mayor capacidad

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  • Publicado : 24 de octubre de 2010
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1.- Describir detalladamente los pasos que se deben seguir para implementar una memoria de mayor capacidad, tomando en consideración entre otras cosas: ¿Con qué tipo de circuitos integrados de memoria se cuenta para realizar la práctica?, ¿Cuál es su capacidad y organización?, etc.

Número de circuitos integrados que se necesitan para alcanzar la capacidad deseada, tanto en el número depalabras como en el número de bits por palabra.

Número de líneas de direccionamiento que se requieren.

Número de líneas de entrada salida.

Líneas de habilitación y de control.

Circuitos adicionales para que funcione correctamente la implementación.

Para la memoria RAM 6116 se tiene que:

Tiempo de acceso 15 ns
Líneas de direccionamiento 11
Líneas de salida 8
Organización total:1024 x 8

Durante el proceso de implementar memorias de mayor capacidad, nos enfrentamos a dos casos principales: aumentar el número de palabras almacenadas o aumentar el tamaño de la palabra.

Para ambos casos, se cuenta con una memoria SRAM cuya capacidad es de 16Kbits y cuya organización es de 2k X 8. El modelo de circuito integrado es el MCM 6116H.

Para el caso en el que hay que ampliarel número de palabras almacenadas, y usando dos memorias como las descritas anteriormente, hay que formar una memoria de 4k X 8, lo cual acarrea el problema de una línea de dirección extra, ya que se tienen 11 líneas y para un arreglo de 4k X 8 se necesitan 12. Sin embargo, esta línea extra se puede implementar usando los habilitadores de los circuitos integrados conectados conjuntamente y con uninversor. Así, las señales que llegan a los habilitadores son opuestas, mientras una memoria funciona, la otra no y viceversa dependiendo del valor de esta nueva señal que es la línea de dirección faltante. Para completar el desarrollo de esta nueva memoria, basta con conectar paralelamente las señales de control y el habilitador general de la memoria se genera con arreglos de compuertas OR a lasentradas de los habilitadores de cada memoria en conjunto con la señal general que estamos implementando.

Para el caso en que se tiene que ampliar el tamaño de la palabra, basta con conectar conjuntamente tanto las líneas de dirección como las líneas de control y dejar libres y correctamente ordenadas todas las salidas de ambas memorias. No se necesitan más líneas de control debido a que loúnico que se aumenta es el tamaño de la palabra.

2.- Dibujar detalladamente el diagrama eléctrico de los arreglos de memoria de los puntos 1 y 2 del desarrollo de la práctica, tomando como circuito integrado de memoria original el adquirido, es decir, con el que se desarrollará la práctica.

3.- Diferencias principales entre una RAM estática y una RAM dinámica.

SRAM
Siglas de Static RandomAccess Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.
Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran pordebajo de 10 nanosegundos.
Un bit de RAM estática se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM estáticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinámicas, pero precisan más espacio y usan mas energía. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoriacaché.

DRAM
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos...
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