Informe De Electronica

UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER
DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD & ELECTRÓNICA
ELECTRONICA II

INTEGRANTES: Jesús Alveiro Alfonso Gerena 1160350
Luis Cespdes Garcia 1160067
William Duarte 1090061


LABORATORIO No. 3

CARACTERIZACIÓN DELTRANSISTOR JFET DE CANAL N y P

1. OBJETIVO GENERAL

♦ Determinar los parámetros básicos de activación de un transistor JFET para analizar el comportamiento de un amplificador Mono-etapa y comparar los datos teóricos con los simulados y los experimentales del laboratorio que nos permitan describir su comportamiento como elemento amplificador.

1.1 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

*Familiarizar al estudiante con el uso de los manuales de los fabricantes de transistores FET para identificar los parámetros eléctricos que definen su comportamiento y poder manejar sus especificaciones a la hora del diseño de amplificadores.

* Determinar los parámetros característicos del transistor de manera experimental utilizando como referente la hoja de especificaciones del fabricante (Vp = VGScon ID = 0), (IDSS con VGS = 0). Con base en estos parámetros determinar la región de operación del JFET.

* Encontrar de manera analítica los parámetros principales de operación en DC y AC.

* Graficar la recta de carga en DC y AC y determinar su máxima excursión simétrica a partir del punto de operación utilizando los instrumentos electrónicos para su cálculo.

* Obtener losparámetros de ganancia de voltaje Av. Zo, Zi, a partir del modelo de pequeña señal del transistor.

* Desarrollar el uso de la herramienta ORCAD PSPICE para la simulación del circuito y la posterior comparación de los datos teóricos y experimentales.

2. EQUIPO NECESARIO

* 1 Protoboard
* 1 Fuente de voltaje Regulada (0-32V / 0-3A)
* 1 Generador de señal con su respectivapunta de prueba (0-10 Mhz)
* 1 Osciloscopio con sus respectivas puntas de prueba (0-200Mhz)
* 1 Multímetro Digital (500V / 10 A /10 Mhz)

* Resistencias de 1KΩ, 2 KΩ, 5KΩ,10KΩ,90 KΩ, 110 KΩ de ¼ Watt
* Capacitores de l0uf (2),a 50v
* 1 Transistor JFET canal P ,ó canal N
* Pinzas, Pelacables, cables.

3. TRABAJO PERSONAL PREVIO

♦ Investigue el funcionamiento delpuente de WHEASTONE.

El Puente de Wheatstone es un circuito diseñado para encontrar la resistencia (o en general la impedancia) de un componente sabiendo la de otros tres componentes. La figura muestra el esquema del puente de Wheatstone en el que las resistencias conocidas son r1, r3 y R2 (que es una resistencia variable). La incógnita es Rx. La idea es "equilibrar" el puente buscando unvalor de la resistencia variable R2 con el cual la diferencia de potencial entre los nodos C y B sea cero. Lo que significa que R2 que equilibra el puente de Wheatstone y se calcula el valor de la resistencia Rx.

♦ Para la simulación en Orcad Pspice consulte el modelo de simulación para un JFET e identifique cada parámetro del modelo del transistor.

♦ Para llenar la Tabla Nº 1, valores teóricosy simulados, calcular los parámetros del transistor JFET con sus respectivos valores.

R1= 90K , R2= 110K , Rs= 5.1K , VDD= 10V

IDSS = 4.5mA , VTR = -1.4V

RIN=RTH=R1*R2R1+R2=49.5K

K=IDSSVTR2=2.3mA

Vth=VDDR2R1+R2=5.5V

IDQ=VTH-VGSRs

IDQ=K(VGS-VTR)2

Realizamos los respectivos despejes:

VGS2+2.8853VGS+1.4911=0

Resolvemos Ecuacion Cuadrática:

VGS1= -0.68V >VTR Respuesta Correcta

VGS2= -2.21V > VTR

IDQ=VTH-VGSRs=1.21mA

VDS=VDD-IDQRs=3.83 V

4. PROCEDIMIENTO

4.1. CARACTERIZACIÓN DEL JFET

♦ JFET CANAL N: Para determinar su comportamiento, igual que en el caso anterior, se hace necesario obtener los valores propios de activación del transistor como: Vp= VGS (-) con iD= 0, e IDSS con VGS = 0, como muestra la Fig. Suministrados por...